侵权投诉
当前位置:

OFweek电子工程网

缓冲/存储技术

正文

中芯国际推出0.13微米1.2V低功耗嵌入式EEPROM平台

导读: 中芯国际宣布推出其1.2伏低功耗嵌入式EEPROM的平台,与其0.13微米低漏电工艺完全兼容。该平台经过流片以及IP验证,在降低功耗、芯片尺寸和成本的同时,能提高数据的安全性。

~为客户提供更小的芯片尺寸,更好的性能和更大的设计灵活性~

  OFweek电子工程网,9月19日讯 -- 中芯国际集成电路制造有限公司("中芯国际"),中国最大的和最先进的半导体代工厂,今天宣布推出其1.2伏(V)低功耗嵌入式EEPROM的平台,与其0.13微米(um)低漏电(LL)工艺完全兼容。该平台经过流片以及IP验证,在降低功耗、芯片尺寸和成本的同时,能提高数据的安全性。这个新平台为中芯国际的成熟工艺节点提供了最新的增值服务,主打中国快速发展的双界面金融IC卡市场及全球非接触式智能卡市场。

  建立在中芯国际的0.13微米低功耗技术上,该1.2V低功耗平台使用字节模式操作的真正的EEPROM技术。与0.18微米EEPROM技术相比,该0.13微米平台减少了约50%的芯片面积,同时降低了约50%的功耗。还可选用高速缓存控制器,在低功耗的同时加快读取速度,为客户提供了更大的设计灵活性。该平台是卡类应用最理想的平台,如双界面银行卡、社会保障卡、医疗保险卡、交通卡、电子护照和电子支付卡。该平台集成了EEPROM、ROM、VR、OSC、I/O、存储器编译器和光检测器(light detector)IP。除了上述中芯国际自己研发的IP,存储器编译器方面亦提供第三方IP的选择。中芯国际的0.13微米过程中使用铜低k互连和硅化钴晶体管的互连。以中芯国际0.13微米LL技术构建的设备将支持温度范围从-40摄氏度到85摄氏度完整的读取和编程操作,并且在55摄氏度的温度下,10万读取和写入周期后,还能保证至少30年的数据保存(等同于在室温下超过300年的数据保存)。该平台目前正在通过一百万次读取和写入周期的品质验证。

  中芯国际商务长季克非表示,“年底将有银行IC卡产品在这一新平台投片,我们为客户的积极反响感到鼓舞。根据我们多年0.18微米EEPROM的量产经验以及客户的反馈,我们预期该技术将快速上量并带来强劲的市场需求。”

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

我来说两句

(共0条评论,0人参与)

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号