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DRAM最佳候补——自旋注入式MRAM步入实用阶段

2012-12-14 08:49
天堂的苦涩
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  在全球展开激烈开发竞争的新型非易失性存储器迎来了实用化阶段。2012年11月,美国Everspin Technologies公司开始样品供货自旋注入式磁化反转(spin transfer torque:STT)方式的MRAM(磁存储器)。

▲ ST-MRAM的裸片照片

  STT方式的MRAM作为取代DRAM的新式存储器备受期待。此次,Everspin公司向特定客户供货了名为“ST-MRAM(Spin-Torque MRAM)”的64Mbit产品(图1)。这是一款具备DDR3接口的DRAM兼容品,用于工业SSD和RAID卡配备的缓存等用途。该公司计划2013年开始量产ST-MRAM,2014年前后将容量扩大至Gbit级。

▲ 图1:实现大容量MRAM的核心技术

  Everspin公司将ST-MRAM定位为实现MRAM大容量化的核心技术。通过与DRAM兼容推进Gbit级的大容量化,同时推进ST-MRAM与SRAM的兼容。(图由《日经电子》根据Everspin公司的资料制作)

  SSD缓存实现非易失性

  在MRAM等新型非易失性存储器的用途中,关注度日益高涨的是SSD等存储设备的的缓存。通过将缓存此前使用的DRAM替换为非易失性存储器,不但能提高对断电的耐性,还可实现高速化和节能。

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