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DRAM最佳候补——自旋注入式MRAM步入实用阶段

2012-12-14 08:49
天堂的苦涩
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  由此,无需数据写入线,可以减小存储单元的面积。另外,记忆元件越微细化,磁化反转所需的电流越小。因为磁化反转所需的电流密度是固定的,与元件尺寸无关。

  由于具备这些优点,全球各大存储器厂商纷纷致力于STT方式MRAM的开发,例如东芝宣布了2014年投产的计划。Everspin利用原来量产MRAM的基础,先于各大厂商实现了STT方式的实用化注2)。

  注2)不过,此次的ST-MRAM估计记忆元件采用了面内磁化方式。东芝等计划实用化的是技术难度比面内磁化方式高,但易于实现大容量化的垂直磁化方式。估计Everspin最终也会采用垂直磁化方式。

  10~20家公司正在评测

  Everspin开始样品供货的ST-MRAM不但将存储容量提高至64Mbit,还在该公司的MRAM产品中首次采用了DDR接口,与DRAM兼容。与DRAM兼容的目的是加速SSD等的采用。以往的SRAM兼容品无法使用支持DRAM接口的市售SSD控制器。例如,巴法络存储器的MRAM缓存SSD通过FPGA安装了控制器。通过实现DRAM兼容,可以解决这些问题。

  ST-MRAM的样品主要供货给SSD和RAID卡厂商,目前全球有10~20家企业正在评测。估计供货对象中就包括巴法络存储器,该公司在2012年11月的展会“Embedded Technology 2012”上,曾介绍过将STMRAM应用于USB 3.0存储器的事例。

  此次样品的具体性能参数尚未公开,据悉“耗电量比原MRAM大幅降低,记忆元件的写入速度也提高数倍”(Everspin公司销售代理商、东电电子器件子公司Panelectron)。在量产阶段计划保持原产品的性能参数,即数据保存时间为20年,对擦写次数无制限。

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