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三星与Synopsys合作实现首次14纳米FinFET成功流片

2013-01-09 17:04
PokerJoker
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  加利福尼亚州山景城,2013年1月-

  亮点:

   ● 该里程碑有助于加速对FinFET技术的采用,以实现更快和更高能效的系统级芯片(SoC)

   ● 该合作为3D器件建模和物理设计规则支持奠定了基础

   ● 测试芯片验证了FinFET工艺和Synopsys® DesignWare®嵌入式存储器的成功采用

  为芯片和电子系统加速创新提供软件、知识产权(IP)及服务的全球性领先供应商新思科技公司(Synopsys, Inc., 纳斯达克股票市场代码:SNPS)日前宣布:该公司与三星在FinFET技术上的多年合作已经实现了一个关键性的里程碑,即采用三星的14LPE工艺成功实现了首款测试芯片的流片。虽然FinFET工艺较传统的平面工艺在功耗与性能上明显出超,但从二维晶体管到三维晶体管的转变带来了几种新的IP及EDA工具挑战,如建模就是其中的一大挑战。两公司多年的合作为FinFET器件的3D寄生参数提取、电路仿真和物理设计规则支持提供了基础性的建模技术。而Synopsys的综合解决方案,涵盖嵌入式存储器、物理设计、寄生参数提取、时序分析及签核(signoff),全部构建于双方合作成果的基础之上。

  "FinFET晶体管可以实现更低的功耗和更高的器件性能,但是它们也同时带来了严峻的挑战,"三星电子器件解决方案部负责系统LSI底层架构设计中心的副总裁Kyu-Myung Choi博士说道。"我们之所以选择Synopsys作为我们的FinFET技术合作伙伴来解决这些挑战,是因为我们在20纳米和其它节点上的成功合作记录。我们将继续汇聚我们的专有技术来提供创新的FinFET解决方案。"

  Synopsys的具备FinFET能力的IP

  Synopsys与三星通过紧密合作开发了一款测试芯片,它可以用来验证三星先进的14纳米FinFET工艺以及Synopsys的DesignWare嵌入式存储器,后者采用了Synopsys 的STAR(自测试和自修复)存储系统解决方案。该测试芯片实现了仿真模型与FinFET工艺的相互关联,同时包含了测试结构、标准单元、一个锁相环(PLL)以及多个嵌入式SRAM。存储器实体包括专为在非常低的电压下运行而设计的高密度SRAM和可验证工艺性能的高速SRAM。

  Synopsys面向FinFET工艺的设计工具

  从平面到基于FinFET的3D晶体管的转变是一项重大改变,它需要工具开发商、晶圆代工厂和早期采用者之间紧密的技术协作,以提供一种强大的解决方案。Synopsys的高精确度建模技术为具备FinFET的Galaxy Implementation Platform实现平台奠定了基础。该平台包括IC Compiler物理设计、IC Validator物理验证、StarRC?寄生参数提取、SiliconSmart特征描述、用于FastSPICE仿真的CustomSim和FineSim以及HSPICE®器件建模和电路仿真。

  "三星电子一直是我们共同投入和投资的一个核心伙伴,共同致力于为FinFET技术开发完整的解决方案," Synopsys高级副总裁兼设计实现部总经理Antun Domic说道。"Synopsys与三星的广泛合作使我们能够提供业内顶级的技术和IP,以帮助设计师们实现FinFET晶体管设计的全部潜在优势。"

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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