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高通抢食PA 砷化镓脸绿

2013-02-24 22:00
科技潮人
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  行动晶片大厂高通(Qualcomm)最新发表CMOS PA(Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Power Amplifer互补式金氧半导体功率放大器),挟CMOS材料低成本优势侵蚀PA市场,使得砷化镓族群昨股价盘中大跌逾3%;不过,砷化镓业者认为,高通新产品的功率及效能还不清楚,未来是对砷化镓在PA领域的优势是否会造成影响还有待观察。

  稳懋:今年是关键年

  高通指出,将在今年下半年推出以CMOS制程生产的PA,支援LTE-FDD、LTE-TDD、WCDMA、EV-DO、CDMA 1x、TD-SCDMA与GSM/EDGE等7种模式,频谱将涵盖全球使用中的逾40个频段,以多频、多模优势宣布进军行动PA产业。

  不过,稳懋(3105)总经理王郁琦日前针对产业出现变化强调,今年是砷化镓产业关键的1年,主要是通讯市场由3G升至4G,需要更高频宽及速度,「砷化镓晶片在传输速度上高于矽晶片5倍以上,最适合发展。」

  业者认为,单就砷化镓的物理性质来说,砷化镓的高饱和电子速率及高电子移动率,在高频PA领域的需求是CMOS等矽材料无法跟上的,加上若以电子移动速率分析,砷化镓材料的物理表现是矽材料的5倍,而这项物理性质对于需高频、高功率运作的智慧型手机而言,是相当关键的特质。

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