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性能提升90% 台积电16nm工艺芯片明年上马

2013-04-15 10:06
来源: 赛迪网

  在芯片技术突飞猛进的当下,所有的芯片厂商都在不遗余力的改进自身的产品工艺,台积电已经决定将16nmFinFET工艺的试产时间从2014年提前到2013年底,甚至还希望10nm的芯片能在2015年底用极紫外光刻技术制造。GlobalFoundries、三星电子这两家代工厂也都已经宣布很快就会上马FinFET立体晶体管技术。

  只要试产的良品率过关,台积电量产16nm的计划估计最早会在明年年中实现。台积电首席技术官孙元成(JackSun)日前表示:“我们对16nmFinFET工艺在明年的黄金时代(量产)充满信心。”

  据悉,16nm目前正在使用128MbSRAM进行测试,核心电压0.8V,I/O电压1.8V,良品率较预期更高。标准单元、内存单元等基础性IP的准备工作已经完成,关键内部模块的测试在6月份也会开始。

  实际上,台积电此举也并非冒进。日前Imagination刚刚宣布和台积电达成进一步的战略合作伙伴关系,PowerVR6系列移动GPU未来会使用台积电的16nmFinFET工艺生产,而几乎同时,ARM和台积电也联合宣布,64-bitARMv8架构的Cortex-A57芯片已经成功完成了第一次流片,所用工艺正好也是台积电的16nmFinFET。这些合作显然给了台积电的工艺进步带来了动力。

  台积电估计,64-bitARMv8核心在16nm工艺上的性能将比28nm32-bitARMA9高出多达90%,而相比之下20nmA15核心只能提速大约40%。

  关于16nm和20nm两种制成周期相靠太近的问题,台积电的官方说法是等到2017年的时候,台积电20nm芯片的产量就会追上28nm。但有分析人士认为,20nm给芯片厂商带来的优势有限,所以台积电很可能只会将其作为一种过渡工艺。

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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