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海力士看好无锡DRAM厂10纳米未来 增资25亿美元

2013-11-19 09:28
科技潮人
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  韩国SK海力士株式会社15日无锡新区签署协议,将投资25亿美元实施五期技术升级项目。

  SK海力士半导体(中国)有限公司自2005年4月在无锡新区建设以来,已成为国内产能最大的半导体生产企业,投资由20亿美元增至80.55亿美元,12英寸晶圆的生产技术由90纳米提升至29纳米。此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级,并争取提升至10纳米级,预计到2016年完成该项技术升级。

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