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三星正在研究10nm工艺 同时初步尝试EUV技术

2013-11-07 14:03
华静一
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  硅半导体工艺的极限在哪里?至少短期内,各大厂商都还在发力冲刺。除了即将量产的20nm、16nm、14nm,更遥远的10nm也早早被列上了议事日程。

  三星的下一步是14nm FinFET(立体晶体管),去年底就已经取得重大突破,完成了测试样品、设计基础设施的准备工作,还有ARM、Cadence、Mentor、Synopsys等众多合作伙伴的支持。

  不过时至今日,三星也没有披露14nm具体会在什么时候量产,有消息称要到2015年初,Exynos 6就等它了。

  再往后,10nm技术也正在按计划研发之中,并会继续使用FinFET,还会初步尝试使用极紫外光刻(EUV),和业内步调一致。

  此外,Intel、台积电、GlobalFoundries也都在积极推进10nm技术的研发,届时还有可能用上450毫米大晶圆。

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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