侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

SK海力士开发出超高速存储器:提升4倍速度、功耗量减少40%

2013-12-30 10:46
天堂的苦涩
关注

  韩国半导体巨头SK海力士日前宣布,公司已开发出超高速存储器(HBM)。这种超高速存储器的数据处理速度是目前性能最高的处理器速度的4倍,但是电力消耗量却减少了40%.

  这种超高速存储器采用了硅通孔技术(TSV,Through -Silicon-Via)。这是是一种通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连的最新技术。是当今世界上速度最快的DRAM(GDDR5)速度的4倍多。

  SK海力士表示,首先将把这种超高速存储器用于图形处理的半导体中,此后公司计划为超级计算机,网络,服务器等产品大量生产这一超高速存储器。

  另一方面,三星电子在今年10月公布今年第三季度的业绩时,宣布其获得了硅通孔技术。分析人士预计,三星电子也会很快推出自己的超高速存储器。

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号