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光迅科技募资6.3亿元 投资核心光电子芯片与器件项目

2013-12-09 16:00
冷血の爱
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  ,光迅科技发布非公开发行预案,拟募资6.3亿元,投资宽带网络核心光电子芯片与器件产业化项目。

  预案显示,本次非公开发行底价为27.31元/股,拟向不超过10名特定对象发行2307万股。公司实际控制人、控股股东及其控制的企业不参与本次非公开发行的认购。

  光迅科技本次募投项目将针对数个市场急需的目标产品进行产业化,产能包括年产150.60万只10G发射器件、年产84.00万只10G接收器件、年产4.80万只25G发射器件以及年产0.96万只40G接收器件。整个项目建设期为2年,全部达产后预计新增年销售收入7.63亿元、利润1.39亿元。

  通过本次募投项目的实施,公司产品线将从2.5G以下的普通光电子器件逐渐扩大升级至10G、40G及以上速率的中高端产品。

  随着“宽带中国”战略的推进及4G时代的来临,市场对光电子芯片高速率的需求不断增大。而即便作为我国光电子器件领域的龙头企业,光迅科技虽然在芯片技术上是国内产业化最成功的企业,但目前产品仍主要集中于2.5G以下的中低端芯片上。未来市场竞争迫使公司必须及时调整产品结构,大力发展中高端、高速芯片技术及产品。

  据了解,2012年,全球光电子芯片与器件领域中国厂商只占到了25%的份额,且集中在中低端芯片及器件上。作为国内行业龙头,光迅科技中高端芯片项目的崛起,有望改写这一市场格局。

  光迅科技表示,随着本次中高端芯片及其器件项目的实施,公司将形成更完整、从有源到无源的“芯片-器件-模块-子系统”垂直一体化产业链,协同效应将更为显着。

  截至发稿,光迅科技报32.02元,下跌了6.52%。

 

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