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4G时代为“国产芯”缔造新空间 成就新格局

2013-12-17 14:05
水墨黯月
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  4G牌照的发放为业界带来一片光明。发牌既标志着4G新时代的开篇,也是我国在3G时代技术积淀收获的“硕果”。几度浮沉的芯片厂商,或将在新的时间节点下完成新的“使命必达”。

  迈向新制程

  随着TD-LTE产业成熟和商用推广,未来TD-LTE芯片和终端需进一步提升性能,TD-LTE芯片将逐渐向28nm演进。

  全产业链的相对成熟是4G发牌时必需的考量,虽然在芯片环节还受限于多模多频的挑战,但一个显见的事实是制程工艺成熟度的提升是突破这一瓶颈的关键。大唐电信集团董事长真才基就对记者表示,从芯片角度来看,4G终端芯片将聚集在28nm制程,中芯国际的28nm技术已经成熟,能够与4G发展的要求相匹配。希望中国4G终端芯片能够较长时间稳定在28nm工艺上发展,因其产业化平台越长,对提高终端供给能力越有好处。

  在3G时代早期,多模TD芯片厂商基本采用65nm甚至90nm制程,导致成本功耗居高不下,一直阻碍着TD-SCDMA的发展。但随着TD—LTE时代的到来,随着多模多频基带以及平台芯片复杂度的提高,以及成本、功耗要求的不断提高,如果说TD-LTD芯片的发展要汲取教训的话,那显然28nm制程将成为未来芯片厂商采取的主要技术。

  联芯科技副总裁刘积堂也强调,对于TD-LTE芯片市场来说,在产业发展初期,基于40nm工艺芯片的数据类终端可以满足TD-LTE应用需求。随着TD-LTE产业成熟和商用推广,未来TD-LTE芯片和终端需进一步提升性能,TD-LTE芯片将逐渐向28nm演进,以提供更佳的用户体验。联芯正在研发的四核五模十频TD-LTE芯片预计年底推出,将采用28nm工艺。

  缔造新空间

  LTE FDD牌照暂未发放,以及中移动TD-LTE终端策略的改变,为国内芯片带来一个“拾遗补缺”的“空间”。

  在4G牌照中,中国移动、中国联通、中国电信首批均获得TD-LTE网络经营许可,LTEFDD牌照暂未发放,这为国内芯片带来一个“拾遗补缺”的“空间”。TD产业联盟秘书长杨骅就曾指出,国内企业由于紧靠中国移动的TD-SCDMA市场支撑,在LTEFDD领域积累相对不足,因而可先发展TD-LTE来满足客户的需求,当发展到一定程度需要LTEFDD频谱使用的时候,再引入LTEFDD制式,这样就会给国内企业一段时间去补LTEFDD的课,以具备为LTEFDD和TD-LTE同时提供服务的能力。

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