4G时代为“国产芯”缔造新空间成就新格局

2013-12-17 14:05

　　4G牌照的发放为业界带来一片光明。发牌既标志着4G新时代的开篇，也是我国在3G时代技术积淀收获的“硕果”。几度浮沉的芯片厂商，或将在新的时间节点下完成新的“使命必达”。

　　迈向新制程

　　随着TD-LTE产业成熟和商用推广，未来TD-LTE芯片和终端需进一步提升性能，TD-LTE芯片将逐渐向28nm演进。

　　全产业链的相对成熟是4G发牌时必需的考量，虽然在芯片环节还受限于多模多频的挑战，但一个显见的事实是制程工艺成熟度的提升是突破这一瓶颈的关键。大唐电信集团董事长真才基就对记者表示，从芯片角度来看，4G终端芯片将聚集在28nm制程，中芯国际的28nm技术已经成熟，能够与4G发展的要求相匹配。希望中国4G终端芯片能够较长时间稳定在28nm工艺上发展，因其产业化平台越长，对提高终端供给能力越有好处。

　　在3G时代早期，多模TD芯片厂商基本采用65nm甚至90nm制程，导致成本功耗居高不下，一直阻碍着TD-SCDMA的发展。但随着TD—LTE时代的到来，随着多模多频基带以及平台芯片复杂度的提高，以及成本、功耗要求的不断提高，如果说TD-LTD芯片的发展要汲取教训的话，那显然28nm制程将成为未来芯片厂商采取的主要技术。

　　联芯科技副总裁刘积堂也强调，对于TD-LTE芯片市场来说，在产业发展初期，基于40nm工艺芯片的数据类终端可以满足TD-LTE应用需求。随着TD-LTE产业成熟和商用推广，未来TD-LTE芯片和终端需进一步提升性能，TD-LTE芯片将逐渐向28nm演进，以提供更佳的用户体验。联芯正在研发的四核五模十频TD-LTE芯片预计年底推出，将采用28nm工艺。

　　缔造新空间

　　LTE FDD牌照暂未发放，以及中移动TD-LTE终端策略的改变，为国内芯片带来一个“拾遗补缺”的“空间”。

　　在4G牌照中，中国移动、中国联通、中国电信首批均获得TD-LTE网络经营许可，LTEFDD牌照暂未发放，这为国内芯片带来一个“拾遗补缺”的“空间”。TD产业联盟秘书长杨骅就曾指出，国内企业由于紧靠中国移动的TD-SCDMA市场支撑，在LTEFDD领域积累相对不足，因而可先发展TD-LTE来满足客户的需求，当发展到一定程度需要LTEFDD频谱使用的时候，再引入LTEFDD制式，这样就会给国内企业一段时间去补LTEFDD的课，以具备为LTEFDD和TD-LTE同时提供服务的能力。

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