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Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻

2013-12-02 09:35
木中君
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  日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用PowerPAK® ChipFET® 和PowerPAK 1212-8S封装的新器件,扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET可提高便携式计算和工业控制设备中的电源效率,是-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低导通电阻的-12V和-20V器件,占位面积为3.0mm x 1.9mm x 3.3mm。

  Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、工业传感器和POL模块里的电源管理等各种应用中的负载、电池和监控开关。器件的低导通电阻使设计者能够在其电路里实现更低的电压降,更高效地使用电能,延长电池使用寿命。

  在节省PCB空间是首要因素的应用里,-12V Si5411EDU不但具有8.2mΩ(-4.5V)和11.7mΩ(-2.5V)低导通电阻,而且3.0mm x 1.9mm PowerPAK ChipFET封装具有明显优势。当需要更高的电压等级时,-20 V Si5415AEDU可满足需求,具有9.6mΩ(-4.5V)和13.2mΩ(-2.5V)的低导通电阻。两款器件的典型ESD保护为5000V。对于需要极低导通电阻的应用,SiSS23DN的4.5mΩ(-4.5V)和6.3mΩ(-2.5V)导通电阻可满足需求,3.3mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封装的高度低至0.75mm。

Vishay推出封装的新器件P沟道Gen III MOSFET

  Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN进行了100%的Rg和UIS测试。这些MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定,符合RoHS指令2011/65/EU。

    器件规格表:

Vishay推出封装的新器件P沟道Gen III MOSFET

  Vishay的P沟道Gen III系列包括60余款器件,占位面积从5mm x 6mm到0.8mm x 0.8mm。

  新款P沟道MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十三周。

 

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