海力士将建DRAM新厂决战台湾双雄南科华亚科

2013-12-20 08:43

　　外电报导，全球第二大存储器芯片厂韩国SK海力士将增建DRAM新厂，以因应行动装置发展带来高端DRAM需求。法人担心，大厂扩大投资之下，产业可能重启资本战，台湾DRAM双雄南科、华亚科需谨慎应对。

　　外电指出，海力士规划，明年将投资至少38亿美元在既有厂房、维运与技术升级等方面，并将兴建新厂，最快于2015年初量产。

　　朝鲜商业报导引述知情人士消息，指SK海力士增设二座新DRAM厂，主要考量洁净室增加有限，现有M10生产线不足以安装最先进的设备。

　　华亚科及南科高层透露，DRAM厂推进20纳米制程，一定要新增洁净室，才能维持在切入20纳米制程时，仍能保持相当产能，否则总产能会因而下降，因此SK海力士新增洁净室投资，只能说是计划导入20纳米，以迎合更高端产品市场需求。

　　华亚科和南科高层表示，因20纳米制程用洁净室建厂过程需耗时一年多，DRAM产业短期只有制程微缩，产出速率远低于需求增速，对明年DRAM价格仍维持平稳且乐观看法。

　　DRAM市场目前已形成三星、SK海力士与美光等三大集团瓜分的局面。根据彭博报导，SK海力士第3季DRAM市场占有率为28.5%，落后于三星的37.1%，后面又有市占26.2%的美光追赶。

　　业界分析，SK海力士拜DRAM价格回升，财务转佳，第3季单季税后纯益缴出9,582亿韩元佳绩，远远优于去年同期，让SK海力士银弹充裕，明年加大扩大市占的企图。

　　在SK海力士无锡厂发生火灾前，DDR3 2Gb DRAM颗粒均价约在1.6美元左右，传出灾情后，报价一路上扬，据集邦科技最新报价，DDR3 2Gb DRAM颗粒，目前现货均价约介于2.34美元至2.41美元。

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