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手机芯片龙头高通射频器件转换制程:CMOS转向砷化镓

2016-02-02 00:32
FlappyBird
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  全球手机芯片龙头高通(Qualcomm)布局功率放大器(PA)等射频(RF)元件策略转向,拟由现行委由台积电代工的互补式金属氧化物半导体(CMOS)制程,转为砷化镓制程,宏捷科、稳懋等代工厂有机会受惠,对台积电影响则待观察。

  高通2014年推出自家的射频元件方案“RF360”,是采用半导体CMOS制程的PA,具低成本优点,且由台积电以八寸厂制造,再搭配自家手机芯片出货,与其他PA制造商Skyworks、Avago、RFMD等PA供应商采用砷化镓(GaAs)制程不同。

  不过,高通日前甫宣布与日系零组件大厂TDK合资,拟在新加坡设立新公司“RF360 Holdings Singapore”,其中TDK旗下从事射频模组业务的子公司EPCOS,会将部分业务分拆出来成立“RF360”,代表高通对RF元件布局将有改变, 成为日前法说会焦点之一。

  

  高通执行长莫伦科夫(Steve Mollenkopf)回应时表示,与TDK合作推出的“gallium arsenide PAs”(即砷化镓PA)将于2017年生产,这是一个比较合适的时间点,届时会再寻找合适的应用市场。

  法人认为,以莫伦科夫说法来看,代表高通旗下RF元件采用的PA制程,将由现行CMOS转向砷化镓,在这个架构下,未来势必还要调整代工厂,由目前的台积电转至稳懋、宏捷科这类的砷化镓代工厂。

  由于高通计划在2017年推出新的砷化镓PA,市场预期,今年会开始寻找合适代工厂,最快年底就会有样品,明年就能上市。

  在智慧型手机转进第四代行动通讯(4G)时代,使用PA颗数至少七至八颗,比3G手机多出一到两颗,加上这两年4G手机数量呈跳跃式成长,带动一波RF元件动能。

  相较高通推出自家PA等RF元件,竞争对手联发科则是采合作方式,在手机公板上认证Skyworks、Avago、RFMD及陆厂Vanchip的元件,避免周边零组件供应出现长短脚现象。

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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