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芯片反向技术干货:FIB芯片电路修改

导读: 在各类应用中,以线路修补和布局验证这一类的工作具有最大经济效益,局部的线路修改可省略重作光罩和初次试作的研发成本,这样的运作模式对缩短研发到量产的时程绝对有效,同时节省大量研发费用。

  在各类应用中,以线路修补和布局验证这一类的工作具有最大经济效益,局部的线路修改可省略重作光罩和初次试作的研发成本,这样的运作模式对缩短研发到量产的时程绝对有效,同时节省大量研发费用。封装后的芯片,经测试需将两条线路连接进行功能测试,此时可利用聚焦离子束系统将器件上层的钝化层打开,露出需要连接的两个金属导线,利用离子束沉积Pt材料,从而将两条导线连接在一起,由此可大大缩短芯片的开发时间。这也是芯片解密常用到手法。

  利用聚焦离子束进行线路修改,(A)、(B)将欲连接线路上的钝化层打开,(C) 沉积Pt材料将两个线路连接起来。

  芯片反向技术干货:FIB芯片电路修改

  其实FIB被应用于修改芯片线路只是其功能之一,这里介绍一下另几个功能:样品原位加工

  可以想象,聚焦离子束就像一把尖端只有数十纳米的手术刀。离子束在靶材表面产生的二次电子成像具有纳米级别的显微分辨能力,所以聚焦离子束系统相当于一个可以在高倍显微镜下操作的微加工台,它可以用来在任何一个部位溅射剥离或沉积材料。图1是使用聚焦离子束系统篆刻的数字;图2则是在一个纳米带上加工的阵列孔;图3是为加工的横向存储器单元阵列。

  芯片反向技术干货:FIB芯片电路修改

  剖面制备观察

  微电子、半导体以及各型功能器件领域中,由于涉及工艺较多且繁杂。一款器件的开发测试中总会遇到实际结果与设计指标的偏差,器件测试后的失效,逻辑功能的异常等等,对于上述问题的直观可靠的分析就是制备相应的器件剖面,从物理层次直观的表征造成器件异常的原因。

  芯片反向技术干货:FIB芯片电路修改

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