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“高效率、高功率半导体激光芯片”自主研制取得重要进展

导读: “高效率、高功率半导体激光芯片研究”成果打破了我国高端半导体激光芯片长期依赖进口的局面,为“中国制造2025”、“互联网+”等国家重大应用需求提供核心支撑。

  高功率半导体激光芯片是整个激光加工产业链的基石与源头,是实现激光系统体积小型化、重量轻质化和功率稳定输出的前提和保证,可广泛应用于先进制造、医疗美容、航空航天、安全防护等领域。欧美等发达国家在高功率、高效率半导体激光芯片研究方面处于领先水平,目前国内实用化的高功率半导体激光器,单管大于5W、单巴条大于40W几乎全部依靠进口,严重制约了我国激光技术产业的发展。

  西安光机所千人计划特聘专家杨国文研究员承担的西安光机所十二五“一三五”自主部署项目“高效率、高功率半导体激光芯片研究”经过一年的技术攻关,取得重要进展。在国内率先突破了高效率、高功率芯片设计,低应力、低缺陷材料与器件制备工艺,高损伤阈值激光腔面处理,FMA失效机理分析等关键技术;完成了四款高端半导体激光芯片的自主研制任务。其中,百瓦级半导体激光芯片的电光转换效率达到国际最好水平,超过国际同类器件的性能指标。项目研制高效率、高功率半导体激光芯片20余只,发表SCI论文2篇,申请专利9项。该项目近期通过结题验收。

  “高效率、高功率半导体激光芯片研究”成果打破了我国高端半导体激光芯片长期依赖进口的局面,为“中国制造2025”、“互联网+”等国家重大应用需求提供核心支撑。

“高效率、高功率半导体激光芯片”自主研制取得重要进展

自主研制的高功率、高效率半导体激光巴条芯片

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