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东芝拟投资800亿新建3D Flash专用厂房

导读: 东芝(Toshiba)8日发布新闻稿宣布,为了增产3D Flash Memory,将在四日市工厂内兴建新厂房“第6厂房(Fab 6)”。东芝指出,该座新厂房将作为3D Flash专用厂房,将分2期工程兴建,其中第1期工程将在2017年2月动工、并预计于2018年夏天完工...

  东芝(Toshiba)8日发布新闻稿宣布,为了增产3D Flash Memory,将在四日市工厂内兴建新厂房“第6厂房(Fab 6)”。东芝指出,该座新厂房将作为3D Flash专用厂房,将分2期工程兴建,其中第1期工程将在2017年2月动工、并预计于2018年夏天完工。

  东芝指出,关于上述新厂房具体的设备导入、开始生产时间,以及产能、生产计划等细节,将待今后评估市场动向之后再决定,且和西数(Western Digital,“WD”)进行协商后,双方今后也将进行共同投资。

  东芝并指出,该座新厂房将导入活用AI人工智能的生产系统、借此提升生产效率。

  据NHK报道,东芝上述新厂房的投资额约800亿日元。

  根据Yahoo Finance的资料显示,截至9日上午8点05分为止,东芝劲扬1.59%至376日日元。

  为了对抗三星电子等竞争对手,东芝于今年3月宣布,将在今后3年内(2016年度-2018年度)总计砸下约8,600亿日元投资NAND型快闪存储器(Flash Memory),而上述新厂房就是该8,600亿日元投资计划中的一环。

  东芝7月27日宣布,已研发出堆叠64层的3D Flash制程技术,并自当日起领先全球同业开始进行样品出货。东芝指出,采用上述制程技术的256Gb(32GB)产品预计将在2017年前半开始进行量产,主要用来抢攻数据中心/PC用SSD、以及智能手机/平板电脑/存储卡等市场,且今后也计划推出512Gb(64GB)产品。

  东芝表示,和48层产品相比,此次新研发的64层产品每单位面积的存储容量扩大至1.4倍,且每片晶圆所能生产的存储容量增加、每bit成本也下滑。

  东芝统筹存储器事业的副社长成毛康雄于7月6日举行的投资人说明会上表示,将冲刺NAND型快闪存储器(Flash Memory)产量,目标在2018年度将NAND Flash产量扩增至2015年度的3倍水准(以容量换算)。

  成毛康雄指出,将强化3D Flash的生产,目标在2017年度将3D产品占整体生产比重提高至5成、2018年度进一步提高至9成左右水准。

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