侵权投诉
当前位置:

OFweek电子工程网

工艺/制造

正文

ALD制程可望成为64层以上3D NAND Flash解决方案

导读: ALD可准确控制膜厚,以原子级精准度形成大面积的均匀薄膜,且适于在凹凸结构蒸镀阶梯覆盖性佳的薄膜,反观PECVD则不易在凹凸结构或深孔图样达成厚度一致的薄膜,故ALD制程可望成为64层以上3D NAND Flash垂直通道填充金属的解决方案。

垂直通道填充金属系3D NAND Flash朝64层以上垂直堆叠发展的关键课题之一,原子层沉积(Atomic Layer Deposition;ALD)制程可于高深宽比(High Aspect Ratio)垂直通道中,大面积形成均匀性薄膜,且具备良好的阶梯覆盖性(Step Coverage),故适用于更多层3D NAND Flash垂直通道填充金属,然其存在沉积速度较慢及所需材料成本较高等问题。

ALD系化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition;CVD)的一种,与另一CVD技术电浆辅助化学气相沉积(Plasma-Enhanced CVD;PECVD)相较,ALD采用依序注入第一种与第二种前驱物(Precursor)作为反应气体的方式,来蒸镀薄膜,此不同于PECVD运用电浆的蒸镀技术,同时蒸镀两种以上前驱物进行化学反应。

观察ALD的优点,其可准确控制膜厚,以原子级精准度形成大面积的均匀薄膜,且适于在凹凸结构蒸镀阶梯覆盖性佳的薄膜,反观PECVD则不易在凹凸结构或深孔图样达成厚度一致的薄膜,故ALD制程可望成为64层以上3D NAND Flash垂直通道填充金属的解决方案。

不过,ALD因依序注入反应气体以蒸镀薄膜,其沉积速度较PECVD慢,相对需较长制程时间,且ALD所需前驱物数量较多,易使沉积成本增加。

3D NAND Flash朝64层以上发展,需于沉积与蚀刻面改良薄膜沉积、垂直贯穿通道、通道填充金属等制程,其中,薄膜沉积制程时间延长,垂直贯穿通道需改采成本较高的干式蚀刻技术,而通道填充金属所需ALD制程亦存在制程时间与成本增加等问题,使得如何因应成本上扬将成3D NAND Flash发展更多层技术的重要课题。

声明: 本文由入驻OFweek公众平台的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

我来说两句

(共0条评论,0人参与)

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号