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美光第二代3D NAND年底大规模量产

导读: 美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存,第一代3D NAND闪存的成本也符合预期,堆栈层数达到64层的第二代3D NAND闪存也在路上了,今年底就要大规模量产了

  今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司,他们本周一正式收购了华亚科公司,内存业务如虎添翼,而闪存方面,美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存,第一代3D NAND闪存的成本也符合预期,堆栈层数达到64层的第二代3D NAND闪存也在路上了,今年底就要大规模量产了。

美光第二代3D NAND年底大规模量产

  对于3D NAND闪存,我们并不陌生,现在市场上很多SSD都转向了3D NAND闪存,不论是性能还是容量或者是写入寿命,3D NAND闪存都要比传统2D NAND闪存好得多,厂商也会借此降低成本,提高产量。以美光为例,他们的2D NAND闪存主力是16nm工艺的,MLC/TLC闪存的核心容量不过128Gb,而3D NAND技术的MLC闪存核心容量就有256Gb,TLC更是达到384Gb,大大高于2D NAND闪存。

  在转向3D NAND方面,实力最强的三星跑得最快,东芝/闪迪、SK Hynix次之,Intel和美光公司算是比较慢的了,不过一旦3D NAND闪存开始量产,由于容量先天性的优势,产能超过2D NAND闪存是迟早的事。美光CFO Ernie Maddock在参加巴克莱银行全球技术、媒体及通讯大会上就确认,该公司的3D NAND闪存产能与2D NAND闪存已经来到拐点上,也就是说3D闪存的产能(以bit容量计)要超过2D NAND闪存了。

美光第二代3D NAND年底大规模量产

美光第一代3D NAND闪存成本比2D NAND闪存至少降低20%

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