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SK 海力士计划明年第二季量产 10 纳米 DRAM

导读: 继三星之后,SK 海力士计划明年开始量产 10 纳米 DRAM,在 1x DRAM 开发完成后,SK 海力士将继续研发 1y DRAM,并为发展 1z DRAM 铺路。

  继三星之后,SK 海力士计划明年开始量产 10 纳米 DRAM,在 1x DRAM 开发完成后,SK 海力士将继续研发 1y DRAM,并为发展 1z DRAM 铺路。

  来自产业界的消息指出,SK 海力士 1x DRAM 开发代号设为 Alius,已准备进入量产前置作业。SK 海力士目前已经完成晶圆制样,正要在进行可靠度认证。

  半导体认证通常需将过工程试样(Engineering sample)与客户端式样(Customer sample)两道程序,在通过客户测试后,产品开发才算完成。据报导,SK 海力士为将量产时程往前推,打算直接做客户测试,暗示 1x DRAM 已经开发成功。

  一般认为,SK 海力士技术落后三星约 1 年半时间,但从 SK 海力士计划在明年第二季量产 10 纳米 DRAM 推算,两者差距已经拉近至 1 年 3 个月左右。

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