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高通/联发科/海思/三星 2017年10nm手机“芯”力量谁最强?

导读: 虽然摩尔定律即将走向终结,但半导体制程工艺推进的脚步却一直没有停下过。台积电和三星作为ARM芯片代工阵营的领军企业,双方你追我赶大打制程战,已将制程工艺推进至10nm,而高通联发科等我们所熟知的IC设计厂商都已宣布推出10nm手机芯片,可以预见2017年的手机芯片将是10nm的天下。

虽然摩尔定律即将走向终结,但半导体制程工艺推进的脚步却一直没有停下过。台积电和三星作为ARM芯片代工阵营的领军企业,双方你追我赶大打制程战,已将制程工艺推进至10nm,而高通联发科等我们所熟知的IC设计厂商都已宣布推出10nm手机芯片,可以预见2017年的手机芯片将是10nm的天下。那么这些10nm芯片都是什么样的呢?

10nm究竟是个什么概念?我们知道在处理器当中有着数以亿计的晶体管,而这个10nm是指晶体管的沟道长度,自然是长度越短体积就越小,从而在同样处理器尺寸的前提下能够放下更多的晶体管来提升性能,或是采用同样的晶体管数量制造出尺寸更小的处理器。

高通骁龙835

去年11月联合三星正式宣布了骁龙835后,高通近日在CES上公布了骁龙835的更多细节资料。骁龙835采用三星10nm FinFET工艺,8核Kryo 280架构,4大核最高主频2.45GHz,4小核最高频1.9GHz,骁龙835配备Adreno 540GPU,还集成下行速率高达1Gbps的X16通信基带,规格参数十分强悍。

骁龙835相比前代820最大的改变就是从四核心(2大核+2小核)设计改为八核心(4大核+4小核),这样的设计并不罕见,但高通将其称之为“两个CPU丛集”:一个性能丛集、一个效率丛集。其中,前者主频提升到2.45GHz,二缓2MB,后者提升到1.9GHz,二缓1MB。

骁龙835相比上代产品骁龙820另一大改进便是功耗。由于采用了最新的10nm工艺,性能比820提升了27%之多,但是功耗降低了25%。能效比的提升使得续航表现有进步。也就是搭载骁龙835的手机,电池更加耐用了。同样在重度使用下,相比骁龙820,骁龙835能够提供额外的2.5小时的使用时间。

此外,骁龙835还带来了最新的快充技术Quick Charge 4,充电五分钟,智能手机将能续航五小时以上,并且同时也可以兼容业界type C的快充标准。

联发科Helio X30

去年九月份,联发科发布了十核芯处理器Helio X30,也是全球首款采用10nm工艺的移动处理器,由台积电负责代工。

据悉,联发科 X30依然使用三丛十核结构,采用10nm工艺,包括两个Cortex-A73 2.8GHz强力核心,四个Cortex-A53 2.3GHz大核心,四个Cortex-A35 2.0GHz小核心。GPU使用PowerVR 7XTP,四核心820MHz,内存支持提升到四组16-bit LPDDR4X 1866MHz,最大容量8GB,同时支持UFS 2.1,整合基带LTE Cat.10,支持三载波聚合,最大下载速率450Mbps,上传100Mbps。整体上X30相比X20性能提升43%,功耗降低53%。对于消费者来说,性能提升当然重要,可是能更加合理的调度核心,不会长时间工作立刻缩缸,才是让手机速度满满的保证。

12月份时,GeekBench数据库里首次出现了Helio X30(编号MT6799)的跑分成绩,一共两份,单核心1504/1481分,多核心4666/4679分。

这样的成绩显然无法令人接受,要知道现在的Helio X25最高可以超过1800、5200分,Helio X20也能跑出1700、5100分。

当然GeekBench也有提醒,这是Helio X30的初期测试版本,其主频明显是比正式版本要低的。Helio X30测试中的小核心频率只有1.59GHz,大大低于标称的2.0GHz,同时可以推算出A73大核心的频率也只有2.0GHz,距离标称的2.8GHz相去甚远。

如果能够跑出满血,理论上Helio X30的成绩可以跑出2100、6500分左右,比现在有明显提升,也能超越骁龙821。

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