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引入EUV紫极外光刻技术 三星计划2018年年初量产7nm

导读: 智能手机芯片市场的竞争越来越激烈了,台积电已经计划将于明年量产 7 纳米工艺制程,而其主要竞争对手三星也决定与高通合作尽快赶上最新节奏。去年三星与高通已经有了最新的结晶,也就是今年最强大的芯片 Snapdragon 835。

智能手机芯片市场的竞争越来越激烈了,台积电已经计划将于明年量产 7 纳米工艺制程,而其主要竞争对手三星也决定与高通合作尽快赶上最新节奏。去年三星与高通已经有了最新的结晶,也就是今年最强大的芯片 Snapdragon 835。

据称,在三星 Galaxy S8 发布之前其他厂商机子不可能搭载 Snapdragon 835,不清楚这是不是高通和三星的合作协议之一。若按照传闻,三星的旗舰或许要等到 4 月 14 日才会正式公布,因此在这个日期之前,所有全新发布的旗舰智能手机,仍只能选择搭载去年的高端芯片 Snapdragon 821。

Snapdragon 835 采用三星的 10 纳米 FinFET 工艺制程打造,芯片面积变得更小,同时能效水平得到了较大的提升。其实考虑到所有的 Snapdragon 835 都从三星工厂出货,只要三星的 10 纳米 FinFET 工艺没有完善,或者生产足够自家旗舰的产量,排他性就会一直存在。

那么,三星的动作如此慢,而且台积电已经宣布开始测试 7 纳米芯片了,是不是意味着三星的竞争力大幅下降了呢?毕竟如果 2018 年台积电的 7 纳米一旦率先量产,高帅富苹果必然会选择台积电作为独家芯片供应商。事实上,三星仍在积极推进新工艺的进展。

近日,三星方面表示,旗下的半导体部门仍致力于全面推进工艺制程,并且有望在今年开始测试 7 纳米 FinFET 工艺制程。三星半导体部门总经理 Heo Kuk 强调,公司的目标是实现 2018 年年初能够量产 7 纳米工艺。

此外,三星计划在 7 纳米芯片制造过程中,引入 EUV 紫极外光刻技术,帮助降低拥有成本,而且还能实现以低输入功率进行高功率输出的高效能。Heo Kuk 表示,三星将最大限度地在 7 纳米工艺制程提高 EUV 技术的优势,并在性能和功耗方面取得更大的竞争力。

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