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“不破楼兰终不还” 紫光南京存储器项目开工

导读: 2月12日,总投资300亿美元的紫光南京半导体产业基地正式宣布开工。这是紫光集团继2016年12月30日武汉长江存储项目开工后,在存储器领域投资建设的新一个重大项目。项目达产后,将有力支撑我国在主流存储器领域的发展。

2月12日,总投资300亿美元的紫光南京半导体产业基地正式宣布开工。这是紫光集团继2016年12月30日武汉长江存储项目开工后,在存储器领域投资建设的新一个重大项目。项目达产后,将有力支撑我国在主流存储器领域的发展。

一期投资100亿美元,主要生产3D NAND与DRAM

紫光南京半导体产业基地项目由紫光集团投资建设,主要产品为3D NAND FLASH、DRAM存储芯片等,占地面积约1500亩。项目一期投资约100亿美元,月产芯片10万片。除投资额高达300亿美元的芯片工厂建设以外,紫光集团还将投资约300亿元人民币建设配套的IC国际城,包含科技园、设计封装产业基地、国际学校、商业设施、国际人才公寓等综合配套设施。

对此,紫光集团董事长赵伟国表示:“紫光肩负国家使命,要以在全球半导体领域为中国产业实现突破和崛起为己任,以‘不破楼兰终不还’的坚强决心,踏实努力做好中国自己的半导体产业。”

紫光集团重点发展存储器产业。2016年7月,紫光集团与国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资的长江存储科技有限责任公司宣布成立;12月份,长江存储的生产3D NAND Flash 产品的厂房动土,项目总投资金额约 240 亿美元,预期将于 2018 年完成建厂投产、2020 年完成整个项目,总产能将达到一个月30 万片。

有媒体称,相关技术来源是源自现已并入赛普拉斯(Cypress)的飞索半导体(Spansion)的合作,传闻双方目标在 2017 年或 2018 年初推出 32 层堆叠 3D NAND Flash。不过,长江存储日前发布新闻稿澄清,从未发布过32层3D NAND Flash 量产的消息。

三星、海力士同时扩产,挤压中国存储发展空间

作为通用集成电路之一,存储器在电子产品中的作用极为重要,中国发展存储产业非常必要。除紫光/长江存储之外,2016年福建晋华与联电签订技术合作协定,由联电协助其生产利基型 DRAM。目前新建的 12英寸厂房已经动工,初步产能规划每月 6 万片,估计 2017 年年底完成技术开发,2018 年 9 月试产。合肥长鑫公司也在合肥打造月产能12.5万片的12英寸晶圆厂生产存储器。

全球存储产业已经高度集中,新力量进入并不容易。有消息称,SK海力士将在无锡启动第二工厂的建设,二期投资36亿美元,用于闪存产能的扩增; 三星电子也将在2017年~2018年大举追加投资西安3D NAND Flash厂,业界人士预估共将投资约43.5亿美元。

在紫光投资南京和武汉的节点,三星、海力士同时扩大存储器的投资,争抢未来市场的动机明显。中国存储器厂商未来的竞争将会面临更大的挑战。与国际大厂相比,中国新进入的存储厂商无论在技术、市场、人才等方面都处于劣势。

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