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Yole Developpement:5G推动RF PA技术成长 LDMOS被GaN取代

导读: 研究机构Yole Developpement指出,随着5G技术日益成熟,未来射频功率放大器(RF PA)市场将出现显著成长,但传统的LDMOS制程将逐渐被新兴的氮化镓(GaN)取代,砷化镓(GaAs)的市场占比则相对稳定。

研究机构Yole Developpement指出,随着5G技术日益成熟,未来射频功率放大器(RF PA)市场将出现显著成长,但传统的LDMOS制程将逐渐被新兴的氮化镓(GaN)取代,砷化镓(GaAs)的市场占比则相对稳定。

据Yole预估,电信基地台设备升级与小型基地台的广泛布建,将是推动RF PA市场规模成长最主要的动力来源。 2016年全球RF PA市场规模约为15亿美元,到2022年时,市场规模将达到25亿美元,复合年增率(CAGR)为9.8%。 不过,由于导入新的射频技术,并且使用更高的通讯频段,因此RF PA必须使用新的制程技术来实现。

展望未来,采用GaN制程的RF PA将成为输出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技术,LDMOS制程的市场份额则会明显萎缩。

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