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SK海力士致力技术创新 今年投资规模达62亿美元

导读: 以往半导体产业的竞争要素在产能扩大与降低成本,但制程愈趋于先进,研发难度提高,投资规模扩大不保证能带来对等获利。面对产业环境改变,SK海力士(SK Hynix)期盼借由技术创新开拓全球市场。

以往半导体产业的竞争要素在产能扩大与降低成本,但制程愈趋于先进,研发难度提高,投资规模扩大不保证能带来对等获利。面对产业环境改变,SK海力士(SK Hynix)期盼借由技术创新开拓全球市场。

据韩媒每日经济报导,SK海力士计划在2017年下半提高10纳米级DRAM生产比例,并持续增加14纳米NAND Flash产量,以取得更具优势的成本竞争力,提高事业获利性。

SK海力士将持续以大规模研发投资提高技术竞争力。

资通讯技术发达带动存储器需求成长,移动装置用DRAM及NAND Flash产品的容量持续增加,用于大数据及云端资料中心的服务器DRAM、固态硬碟(SSD)需求激增,人工智能(AI)、深度学习(Deep Learning)的技术发展更是带动存储器需求扩大的市场利基。

2017年1月SK海力士推出LPDDR4X,是全球最高容量的超低功耗移动装置DRAM;4月开发出超高速绘图DRAM Graphics DDR6(GDDR6),可作为AI、虚拟实境(VR)、自驾车、4K以上高像素显示器的存储器解决方案。

在NAND Flash部分,2017年SK海力士成功开发72层3D NAND Flash之后,已在7月启动量产,比原本48层产品生产力提高30%,芯片内部运作速度提高两倍,读写性能提高20%,并且推出搭载自主研发控制器的移动装置用eMMC产品及PCI介面固态硬碟,以高性能、高可靠度的3D NAND Flash解决方案强化事业竞争力。

SK海力士为了取得控制器技术,2012年购并美国Link A Media Devices与义大利Ideaflash S.r.l.,2013年购并台厂银灿科技控制器事业部,2014年购并Softeq Development FLLC。2012年在韩国京畿道盆唐成立Flash解决方案设计中心,2013年在韩国科学技术院(KAIST)校园内成立储存媒体解决方案中心。

在相关投资方面,2016年SK海力士执行6.29兆韩元(约56亿美元)投资计划,2017年投资规模上看7兆韩元,并且计划在2019年6月底前投资2.2兆韩元于清州兴建NAND Flash工厂。研发经费投入2016年为2.10兆韩元,占营收12.2%。

SK海力士表示,在变化多端的半导体市场与竞争结构中,唯有透过大胆进行研发投资加强技术竞争力,才能维持市场领导地位

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