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后发能否先至?“中国芯”闪存现状解读

2017-07-20 08:31
野明月
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闪存作为手机与电脑的存储介质,它就像粮食一样不可或缺。近来闪存货源紧缺,让众多内存与固态价格一路高歌。而目前多数的闪存资源都掌握在国际大厂手中,让人不禁感叹:属于中国闪存的“中国芯”在哪?

目前NAND闪存主要被三星、SK Hynix、美光、东芝等少数公司垄断,然而随着物联网需求的发展,存储芯片更成为电子行业的刚需。

中国也积极接入存储产业,整合上游厂商发展出具中国自有技术并联合中、下游的产业,形成群聚效应,进而推进中国半导体产业的进一步成长。

目前发展最快的,是紫光主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地,他们的主要产品就是国产3D NAND闪存。来自中科院的消息称,长江存储研发的3D NAND闪存已经取得标志性进展,堆栈层数达到了32层。

相比国际大厂的研发进度,三星、美光和东芝都开始向72层及以上的研发加快步伐,国内的研发进程还有一定距离。

不过,3D闪存工厂的生产装备将在2018年Q1季度完成安装,2019年则会完全量产。目标是在2020年时技术上达到国际领先的存储芯片供应商的水平,实现存储芯片的后发先至。

中国市场消耗了全球55%的存储芯片产能,而国家存储芯片基地更是在万众瞩目下迅速壮大。在强大的市场需求及中国政府的财政支持下,我们希望能早日看到“中国芯”的产品出现在世界的舞台。

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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