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华虹半导体推出12位SAR ADC IP助力超低功耗MCU平台

导读: 华虹半导体有限公司宣布,基于其0.11微米超低漏电(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式闪存(eFlash)工艺平台,推出自主设计的超低功耗12位逐次逼近(SAR)型模数转换器(ADC)(12-BitSARADC)IP,达到国际一流水平。

  全球领先的200mm纯晶圆代工厂——华虹半导体有限公司(“华虹半导体”或“公司”,连同其附属公司,统称“集团”)宣布,基于其0.11微米超低漏电(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式闪存(eFlash)工艺平台,推出自主设计的超低功耗12位逐次逼近(SAR)型模数转换器(ADC)(12-BitSARADC)IP,达到国际一流水平。该款ADCIP目前已通过硅验证,其拥有高达2MSPS的采样率,并完美结合了多通道、高精度、低功耗等优异特性,是高性能微控制器(MCU)产品的理想选择,亦可满足包括物联网(IoT)在内的各种多元化应用。

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  华虹半导体依托卓越的研发团队和丰富的IP设计经验,瞄准成长中的MCU市场,除了嵌入式存储器IP之外,已先后推出RTC、BGR、LDO、PORI、PORE、RCOSC、LCD驱动、ADC等系列模拟IP。其中,ADCIP是一款12位分辨率的SARADC,传输特性单调、无失码;IP面积仅为0.2mm2,降低了芯片成本;可在电源电压1.8V到5.5V、温度-40℃到+125℃的宽广范围内稳定工作。

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  12-BitSARADCIP拥有超低功耗:电源电压3.3V、采样率2MSPS时,功耗仅为3.5mW;电源电压2.0V采样率2MSPS时,功耗1.8mW。

  12-BitSARADCIP拥有优秀的动态性能,电源电压3.3V采样率2MSPS时,信号噪声失真比SNDR为70dB;电源电压低至1.8V时,采样率仍能高达1.5MSPS,信号噪声失真比SNDR为69dB。

  12-BitSARADCIP拥有十个外部输入信号通道(其中八个能够灵活地配置成差分工作模式或单端工作模式,另外两个用于测量外部参考电压)和一个内部输入信号通道(用于测量电源电压);内置数字校准电路,能校正内部比较器的失调和内部数模转换器的线性误差。并且,正负参考电压与采样周期长度皆可选择、配置。

  华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“12-BitSARADCIP的推出体现了公司自主创新的研发能力。作为华虹半导体MCU系列解决方案的重要组成,该ADCIP在0.11微米超低功耗ULLeFlash技术平台流片成功,可以有效帮助客户降低芯片功耗与成本,简化并加快系统设计,为客户在物联网、工业、汽车电子等市场提升竞争力。”


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