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针对高耐用性和可靠性电源需求,意法半导体推出击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器

2019-07-29 14:04
意法半导体
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2019年7月29日,意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器,集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET,使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。

VIPer26K MOSFET具有极高的额定电压,无需传统垂直堆叠FET和相关无源元件,即可实现类似的电压处理能力,可采用尺寸更小的外部缓冲器元件。转换器内置漏极限流保护功能,MOSFET包含一个用于过温保护的senseFET引脚。

单片集成高压启动电路、内部误差放大器和电流式PWM控制器,VIPER26K支持所有常见开关式电源拓扑,包括原边或副边稳压隔离反激式转换器、电阻反馈非隔离反激式转换器、降压转换器和降压 - 升压转换器。

市场上最高的MOSFET击穿电压,结合片上集成的一整套功能,需要极少的外部电路,这些特性使设计人员能够节省物料清单成本和电路板空间,同时提高电源的可靠性,例如,单相和三相智能电表、三相工业系统、空调和LED照明的电源。

新产品还有很多其它优点,例如,内部固定开关频率60kHz,抖动±4kHz,配合MOSFET开通和关断期间栅极电流控制功能,可以最大限度地降低开关噪声辐射。高转换效率和低于30mW的空载功耗,有助于应用达到高能效等级和严格的生态设计要求。

VIPer26K现已投产,采用SO-16N封装。

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