侵权投诉
订阅
纠错
加入自媒体

英特尔挖角格芯CTO:“三分天下”的晶圆之战开始发力

2019-12-13 14:16
21IC电子网
关注

12月13日 讯 - 前几日,英特尔的制造工艺路线被披露,虽然ASML擅自在路线图中增加了7nm、5nm、3nm、2nm和1.4nm的标注,但总体2年一次更替的摩尔定律仍在进行之中。

而在目前最新的消息显示,英特尔(Intel)最近招揽了前格芯(GlobalFoundries)CTO、前IBM微电子业务主管Gary Patton博士。当然,为了做好新的CPU/GPU架构,Intel还批量挖走了Raja Koduri、Jim Keller等一大批业界牛人。

目前来说,格芯已经改变了投资策略,取消了7nm、5nm的工艺研发,专注进行14/12nm方面工艺和专用性的22FDX、12FDX。所以Gary Patton这样的人才仍然可以再一线研发对他来说是一件好事。

目前来说,在晶圆厂之战已变为“三分天下”的格局,这三家分别是英特尔、台积电、三星。

英特尔方面,日前报道中爆料的2年一更新的制程之路来说,虽然这是一个乌龙事件,但这是第一个被ASML爆料出的1.4nm工艺。当然,英特尔还强调了在每个流程节点之间,将会有迭代的+和++版本,以便从每个流程节点提取性能。但在EUV方面,仍然需要至2021年才会上EUV设备。

台积电方面,众所周知在EUV工艺上属于“熟练掌握”的玩家,诚然晶圆厂在标注制程方面通常也会使用一些技巧导致台积电7nm工艺与英特尔10nm工艺性能并无二异。但单纯从数字上面来看,目前台积电已在5nm方面进入量产倒计时,3nm与2nm已提上了日程并且远比英特尔要早。不过有了之前的经验,或许性能方面仍然不会有差别。

三星方面,则稳扎稳打,从14nm、10nm、7nm、3nm四个主要节点进行规划,而在3nm节点以后,三星要放弃FinFET转向GAA晶体管,3GAE工艺和3GAP工艺的优化改良之路还远矣。

摩尔定律的2年一更新仍然在持续之中,而如若走在在1nm制程以下,摩尔定律该如何继续延续,这将成为一个严肃的问题。

F6790A9151C10A4C06F8A63608FBCD65B27B3947_size120_w600_h337.jpg

作者:付斌

声明: 本文系OFweek根据授权转载自其它媒体或授权刊载,目的在于信息传递,并不代表本站赞同其观点和对其真实性负责,如有新闻稿件和图片作品的内容、版权以及其它问题的,请联系我们。

发表评论

0条评论,0人参与

请输入评论内容...

请输入评论/评论长度6~500个字

您提交的评论过于频繁,请输入验证码继续

暂无评论

暂无评论

文章纠错
x
*文字标题:
*纠错内容:
联系邮箱:
*验 证 码:

粤公网安备 44030502002758号