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全球芯片攻坚战:台积电一枝独秀,3nm明年开始试产

2020-04-27 17:14
Ai芯天下
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三星:在技术上的追赶和超越

三星同样押注3nm节点,进度及技术选择都很激进,三星将淘汰FinFET晶体管,直接使用GAA环绕栅极晶体管。

根据三星的信息,相较于7nm FinFET工艺,3nm工艺可以减少50%能耗、增加30%性能。三星计划2021年量产,疫情影响已推迟到2022年,但没有明确具体时间。

去年,三星的Foundry Forum活动中强调了先进封装的重要性;今年,三星的Foundry Forum则将重点放在了先进制程的进度上。就此,我们也能够很明显地感受到,三星与台积电之间的竞争越发激烈。

前不久,三星也公布了未来的制程工艺路线图,公司计划今年推出7nm EUV工艺,明年有5/4nm EUV工艺,2020年则会推出3nm EUV工艺,同时晶体管类型也会从FinFET转向GAA结构。

AI芯天下丨资本丨全球芯片攻坚战:台积电一枝独秀,3nm明年开始试产

不过,根据最新的消息显示,受今年新冠疫情的影响,三星的3nm工艺的进度可能将推迟。

基于GAA的工艺节点有望在下一代应用中广泛采用,例如移动、网络通讯、汽车电子人工智能(AI)和IoT物联网等。

值得一提的是,三星一直被诟病的晶体管密度仍然未被提及。作为GAA技术的领头羊,三星究竟能否借由3nm工艺翻盘,还需要时间来证明。

三星在10nm、7nm及5nm节点的进度都会比台积电要晚一些,导致台积电几乎包揽了目前的7nm芯片订单,三星只抢到IBM、NVIDIA及高通部分订单。

不过三星已经把目标放在了未来的3nm工艺上,预计2021年量产,这个时间点要早于台积电。

AI芯天下丨资本丨全球芯片攻坚战:台积电一枝独秀,3nm明年开始试产

英特尔:主流工艺反超 新战场保守

去年英特尔超越三星,夺回了全球半导体市场的一哥地位,过去27年以来英特尔在这个榜单上把持了25年之久。

再下一步,英特尔还要在半导体技术上追上来,其7nm工艺晶体管密度就接近台积电3nm工艺了,5nm节点反超几乎是板上钉钉了。

在10nm走上正轨之后,英特尔宣布他们的半导体工艺发展将回到2年一个周期的路线上来,2021年就会量产7nm工艺,首发高性能的Xe架构GPU,2022年会扩展到更多的CPU等产品中。

现在还没公布官方细节,不过英特尔从22nm工艺到14nm是2.4x缩放,14nm到10nm是2.7x缩放,都超过了摩尔定律的2x工艺缩放水平。

英特尔 CEO司睿博之前提到过7nm工艺会会到正常缩放,那至少是2x到2.4x缩放,意味着7nm工艺的晶体管密度将达到2亿/mm2到2.4亿/mm2之间。

这样看来,如果是2.4亿/mm2的水平,那英特尔的7nm工艺就能达到台积电3nm工艺的水平,保守一点2亿/mm2的话,那也非常接近了。

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