台积电2nm工艺研发突破，或采用环绕栅极晶体管技术
2020-09-23 14:29
来源：
OFweek电子工程网
3nm工艺已在路上，台积电到底领先了多少？
在台积电此前发布的财报中显示，28nm、16nm和7nm工艺仍是该公司第二季度营收的主要来源（28nm工艺贡献14％营收，16nm工艺贡献18％营收，7nm工艺贡献36％营收）。5nm工艺的营收状况虽然未披露，但从当前5nm工艺芯片的应用市场来看，当前正是各大厂商追寻5nm芯片的高产时期，比如华为麒麟9000、苹果A14芯片，还有高通骁龙875等等。预计台积电代工的5nm和7nm工艺芯片将对公司第三季度的销售业绩起到极大提升。
2nm工艺之前还有3nm，关于台积电3nm的研发进展有资料显示，台积电3nm工艺不会像三星那样选择GAA晶体管技术，而是延续采纳FinFET晶体管技术进行开发。3nm工艺与5nm工艺相比，相同功耗下性能提升约10～15％，相同性能下功耗减少约25～30％，前者逻辑区域密度提升1．7倍，但SRAM密度仅提升20％，模拟电路部分密度提升约10％，因此芯片层面上可能仅缩小26％左右。
在生产方面，台积电的3nm晶圆厂坐落在台湾南科园区，占地28公顷，位置紧邻台积电的5nm工厂。据悉，台积电3nm项目投资超过6000亿新台币，约为194亿美元或者1347亿人民币，2020年开始建厂，2021年完成设备安装，计划3nm芯片在2021 年进入风险性试产，2022 年下半年实现量产。
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