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IBM发布首个2纳米芯片!每平方毫米3.3亿个晶体管

2021-05-07 11:24
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IBM发布了世界首个2nm工艺芯片,未来将被应用在智能手机,笔记本电脑等产品上。相比于如今主流的的7nm芯片性能提高45%,能耗降低75%。

据悉,IBM推出的2nm工艺芯片设计更加紧凑,采用GAA(环绕栅极晶体管)技术,每平方毫米具有约3.33亿个晶体管。要知道,当前台积电最先进的5nm工艺上每平方毫米约有1.73亿个晶体管,而三星的5nm芯片每平方毫米约有约为1.27亿个晶体管。IBM介绍,这是第一次使用底介电隔离通道,它可以实现12 nm的栅长,其内部间隔是第二代干法设计,有助于纳米片的开发。这也是第一次使用EUV曝光FEOL部分过程。

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芯片厂商不同工艺节点技术对比,源自AnandTech)

IBM指出,2nm芯片技术的潜在优势包括:1、极大提升手机电池寿命;2、降低数据中心的碳排放;3、提升处理器计算能力;4、缩短自动驾驶汽车场景应用中物体检测的时间。不过目前还只是IBM 2nm芯片的概念设计,基于2nm工艺所能够打造的处理器尚需要一定时日,因此宣传推广的意义远大于实际应用。

目前,台积电被认为是在2nm工艺上最具研发进度的企业。业界看好其2023年下半年风险试产良率就可以达到90%。据台媒透露,有别于3nm与5nm采用鳍式场效晶体管(FinFET)架构,台积电2nm改采全新的多桥通道场效晶体管(MBCFET)架构,研发进度超前。

去年台积电就成立了2nm专案研发团队,寻找可行路径进行开发。考量成本、设备相容、技术成熟及效能表现等多项条件,2nm采以环绕闸极(GAA)制程为基础的MBCFET架构,解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题。当然,台积电的野心不止于此,台积电南京公司总经理罗镇球曾在“2020世界半导体大会”上表示,“芯片制程工艺持续推进,摩尔定律仍将适用,3nm、2nm、1nm都没有什么太大问题”。

声明: 本文由入驻维科号的作者撰写,观点仅代表作者本人,不代表OFweek立场。如有侵权或其他问题,请联系举报。

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