这价格比现在正在使用的HBM3E的价格370美元上涨了超50%，此前还有业内人士预估其价格为500美元。

据悉，此次协议的HBM4会被用到英伟达在2026年下半年问世的下代AI芯片“Rubin”平台上。

有意思的是，在谈判期间，英伟达曾经因为三星，美光等竞争对手或许具备供应能力而拒绝涨价，但是最后还是接受了SK海力士的报价方案。

此次连英伟达都“不得不低头”，HBM4，到底有何魅力。

HBM4为什么“值这个价”？

如果你阅读过维科网电子此前的两篇文章：三大存储原厂“断粮”，DDR5现货涨价超25%！、DDR4告急！四大巨头停产，报价飙升90%！，你就知道为何此前DDR4和DDR5的价格在今年不断攀升。

此篇文章简而言之，就是存储巨头们，都把产能聚焦在技术含量更高，同样利润也更多的HBM4上。

注：据集邦数据，HBM（高带宽内存）毛利率超65%，DRAM消费级产品大概20%，车规级产品大概在45%。

首先来讲下HBM，也就是高带宽内存，其通过TSV硅通孔技术，把很多个DRAM芯片垂直堆起来，并且把这些芯片和处理器一起封装在一起，这样就在芯片制程不提升的前提下，实现更高的带宽，也就是更高的数据传输速度。

那么HBM4，具体数据提升如何？

据JEDEC固态技术协会在2025年4月公布的HBM4标准显示，这一代HBM4产品可以实现最多16层的DRAM堆叠，单个堆栈容量可高达64GB，带宽甚至能达到2TB/s。

集邦也数据也显示，其与前代HBM3E相比，数据传输通道（I/O）从1024个增加到2048个，翻了一番。而且在连接GPU和HBM的基础芯片里首次加入逻辑工艺，大大增加了芯片计算效率和能源管理效率。

这些性能的提升，对于应对如今狂飙的大型AI模型来说非常关键，也是其溢价的技术基础。

当然技术升级带来性能提升的同时，制作难度也大幅上升，SK海力士为了解决这些难题，也是第一次把基础芯片交给台积电生产，以此保证了产品的可靠性和量产能力。

存储市场“三足鼎立”，但暗流涌动

如今整个HBM4市场需求量很大，但是供给端还是“御三家”——SK海力士、三星电子、美光科技。

虽然SK海力士这次占了先机，但是三星电子、美光科技都在加快HBM4量产进程。

据维科网电子获悉，美光已经在2025年6月给很多大客户寄出了HBM4样品，而且宣布要在2026年开始大批量生产，其公布的HBM4性能指标显示，每内存堆栈速度达到超过2.0TB/s，而且比上一代产品能效提升20%以上。

三星也打算在2025年下半年启动HBM4的生产工作，用到的是4nm逻辑芯片制程和10nmDRAM工艺，此前就有业内人士透露，AMD会把三星的HBM4装进自己的InstinctMI450系列加速器里。

结语：存储芯片，下一代“数字黄金”

从宏观视角来看，AI模型的参数量目前仍然处于指数级增长的趋势当中，远远未到顶峰，这也对内存带宽和容量需求在不断攀升，促进了硬件规格的不断提高。

存储芯片，作为当前支撑人工智能基础设施的重要部分之一，AI的浪潮来得越猛烈，它所处的战略地位也就越高。

单说HBM市场，其2024年就高达89亿美元，后面几年只会更有甚之，HBM4商业化的开始，也就代表着存储芯片迈入了新的技术更新阶段。

而且当下存储芯片市场涨价的风潮已不再局限在HBM4领域，呈现出全面扩大的态势，根据集邦咨询最新报告表明，今年第三季度，DRAM内存芯片的合约价同比去年暴涨了171.8%，第四季度通用型DRAM价格预估涨幅，也从之前8%-13%提高到18%-23%。

如此前所说，这种普遍上涨是由于AI基础设施投资抢夺存储芯片资源造成的——为了满足高阶服务器DRAM和HBM的需求，“御三家”把先进制程产能优先留给这些高利润产品，消费级DRAM供应变少，但需求却不减反增。

花旗集团分析师ChristopherDanely预测第四季度DRAM价格将环比上升25%，这是1990年代以来最大的季度涨幅，市场预计SK海力士2026年营业利润可能会突破70万亿韩元，达到历史最高水平。

存储芯片的价格变动，在AI浪潮滚滚而来之时，也变得愈发激烈。

特别是像HBM4这种存储的技术难度很高，有分析师认为其供不应求的局面，大概会在短中期内一直存在，这也许会导致其涨幅要回跌并非一朝一夕。

这巨大的涨幅差异，让黄金都黯然失色。在AI算力为王的时代，存储芯片，正成为下一代“数字黄金”。