专为低导通电阻和高细胞密度应用设计的N沟道功率MOSFET-DH090NG-S
相比P沟道，N沟道有几个硬优势：导通电阻更低，意味着同样电流下发热更少、效率更高 。而且载流子是电子，迁移速度快，开关损耗也小 。另外，N沟道器件更容易制造且成本更低，所以市面上常见的功率MOS管大多是N沟道增强型。
N沟道MOSFET靠栅极电压来控制。当栅极和源极之间加上正电压（通常超过阈值电压，如4V或10V），栅极下方的半导体表面会形成导电沟道，电流就能从漏极流向源极 。如果栅极电压不够或者为零，沟道就没形成，电流过不去，相当于开关关了 。
工采网代理的N沟道MOSFET-DH090NG-S采用先进的沟槽制造工艺与设计，可在低栅极电荷条件下实现优异的导通电阻（RDS）。适用于电源开关、电机驱动及负载切换等场景。N沟道功率MOSFET是一种靠电压控制导通的电子开关，主要用在电源管理和电机驱动里，因为它导通电阻小、效率高，比P沟道更常见。
器件利用高细胞密度沟槽技术实现了超低的导通电阻，同时保持了低栅极电荷，使其在开关应用中具有高效率。作为绿色设备，它符合环保标准，且其封装设计有利于良好的热耗散，适用于电源管理、电机驱动及各类工业控制场景。
额定参数：
N沟道MOS管 - DH090NG-S的特性：
VDS=100V,ID=15A,RDS(ON)<100mΩ@VGS=10V
低栅极电荷
符合绿色设备标准，无铅且符合RoHS规范
适用于超低RDS（导通电阻）的先进高细胞密度沟槽技术
散热性能优异的优质产品
核心电气参数：
漏源电压（VDSS）:100V
连续漏极电流（ID）：15A(在TC=25℃时
导通电阻（RDS（ON））:<100mΩ（@VGS=10V，ID=10A）
封装形式：TO-252，标记代码为H090N-S
极限额定值：
栅极电压（VGS）：±20V
脉冲漏极电流（IDM）：60A
功耗（PD）：46W
工作温度范围：-55℃至+150℃
工采网代理的N沟道MOSFET产品系列齐全，参数覆盖广泛，封装灵活多样，需要的客户可根据工作电压、导通电阻、封装形式及应用场景，找到合适型号，如需详细规格书或样品，可登录工采网联系“在线客服”，请联系：133 9280 5792(微信同号)
原文标题 : 专为低导通电阻和高细胞密度应用设计的N沟道功率MOSFET-DH090NG-S
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