长江存储第一次坐进了全球NAND前三。

Counterpoint 8月12日公布的数据显示，2026年第二季度，长江存储的NAND位元出货份额达到14%，排在三星的25%和SK海力士集团的22%之后，并被列为全球第三，略高于铠侠。

所谓“位元份额”，可以简单理解为按实际卖出去的存储容量来算市场份额。一颗256Gb NAND和一颗1Tb NAND都只是一颗芯片，但后者能装的数据却是前者的四倍。按照这个口径，全球这个季度每卖出100份NAND容量，大约14份来自长江存储。

14%是个很了不起的数字。

NAND资本投入极高，市场长期集中在三星、SK海力士、铠侠、美光等少数厂商手中。长江存储2016年成立，十年后第一次按位元出货进入全球前三，已经能够以全球头部厂商的量级向市场交付NAND容量。

几乎就在同时，长江存储也走到了另一个节点。8月21日，上交所正式受理长江存储控股股份有限公司科创板IPO申请，拟募集资金330亿元，主要投向量产线技术升级和研发项目。市场份额刚进入前三，大规模融资又将继续投向产线和研发，2018年的那次技术选择，到今天已经有了足够多的结果可供检验。

今年的行情当然也帮了忙。AI工作负载加速从训练走向推理，企业级SSD二季度已经占全球NAND位元出货量的48%，一年前只有26%。三星又把更多资源投向利润更高的DRAM，压低了NAND产出；长江存储则借着供应偏紧，扩大了对国内OEM客户的供货。

但好行情只能解释为什么今年增长更快。一家晚了几十年进入存储行业的后来者，为何能能在十年里挤进这个寡头市场的前三，还得从2018年说起。

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那年8月，成立刚满两年的长江存储在Flash Memory Summit，并正式推出Xtacking架构。

早年的闪存，很像在一块土地上不断盖平房。存储单元越做越小，同样面积里可以塞进更多数据，可尺寸缩到一定程度，相邻单元之间的干扰越来越难控制。2013年，三星把第一代V-NAND推向量产，行业开始往上盖，3D NAND进入摩天楼时代。

楼越盖越高，新的麻烦也来了。一颗NAND里，真正保存数据的是存储阵列，旁边还需要负责读写、寻址和控制的外围电路。打个不完全严谨但容易理解的比方，存储阵列是办公室，外围电路就是电梯、供电和调度系统。

Xtacking重新安排了两者的位置。存储阵列放在一片晶圆上，外围电路放在另一片晶圆上，两边分别制造，各自用更适合的工艺制造，最后再把两片300毫米晶圆高精度键合。过去楼体和机电系统要在同一套施工条件下同步推进，Xtacking相当于让两支队伍先各自把擅长的部分做好，最后再精确对接。

按照长江存储公布的数据，这种架构可使芯片面积减少约25%；阵列和外围电路还可以并行开发，产品开发时间缩短至少三个月，生产周期缩短20%。

对后来者来说，这种架构的吸引力很直接。完全沿着领先者留下的路径追赶，很难把时间追回来，因为领先者也在继续向前，还握着多年积累的制造经验、客户和知识产权。

经济史学家亚历山大·格申克龙研究后发工业化时曾指出，后来者未必需要完整复制先行者走过的路径。长江存储仍然要追层数、良率和产能，却在阵列与外围电路的组合方式上选择了另一种结构。

02 

阵列和外围电路获得了各自优化的空间，制造难度则更多集中到晶圆键合环节。

两片晶圆分别制造之后还要重新接合，对准误差、晶圆翘曲、颗粒污染都会影响最终良率。示意图里只是把两片晶圆贴到一起，真正进入大规模生产，对制造控制的要求完全不同。

2019年9月，搭载Xtacking架构的第二代64层3D NAND正式量产。到了128层Xtacking 2.0，TechInsights测得其512Gb TLC芯片位密度为8.48Gb/mm²，高于同期对比的三星、美光和SK海力士产品。

2022年，TechInsights又在市售SSD中确认长江存储232层Xtacking 3.0，并称其为当时公开市场发现的首款200层以上3D NAND解决方案。至少在那个时间点，长江存储第一次在3D NAND产品推进速度上走到了行业前面。

目前量产的X4-9070 I/O速度达到3600MT/s，公司公布的存储密度较上一代提升36%。2025年，Xtacking 4.0获得FMS 2025 3D NAND“最具创新存储技术奖”。今年8月，Counterpoint称长江存储正在量产267层3D NAND，并继续推进300层以上技术。

层数因此越来越难单独代表一代NAND的水平。位密度、I/O速度、Plane并行度和良率，同样决定一片晶圆最终能产出多少有效容量、以什么效率进入市场。

03

Xtacking诞生得比美国这一轮出口管制早得多。

它2018年公开，2019年进入量产。美国针对中国先进半导体制造的出口限制到2022年10月才显著升级，其中涉及128层及以上NAND制造；两个月后，长江存储进入实体清单。

所以Xtacking很难被解释成美国管制之后临时设计的方案，也不宜概括成“绕开EUV”。它最初解决的是阵列与外围电路之间的工艺牵制，后来外部限制又放大了自主架构的战略价值。

到了这一代NAND，晶圆键合也已经不再只是长江存储的选择。铠侠第八代BiCS FLASH采用CBA技术，把外围电路和存储阵列分别制造再键合；今年8月，三星公布400层以上的V10 BV-NAND，也采用Bonding V-NAND架构，官方称其存储密度较V9提高约58%。

这并不能推导出三星、铠侠在跟着长江存储走。混合键合有更长的产业技术积累，各家公司也有自己的结构、工艺和知识产权。但长江存储较早在3D NAND中实现商业化的“分离制造、再键合”思路，如今已经出现在多家头部厂商的先进NAND架构中。

至于全球第三，也还有另一面。按位元出货量看，长江存储已经进入前三；按营收计算，它二季度仍排第五。Counterpoint给出的原因很直接：长江存储的产品更多集中在消费市场，高价格的数据中心企业级SSD占比较低。

这组差距把下一段路标得很清楚。供货规模已经进入全球头部，高价值产品仍有继续提升的空间，而AI正在把NAND需求迅速推向企业级SSD。

14%的份额当然无法全部归功于Xtacking。供需周期、国内客户增长和产能释放都参与了这轮增长。技术更像一个慢变量：2018年选路线，2019年量产，2022年把232层产品送进公开市场，此后继续迭代到第四代。架构先变成芯片，再穿过良率、成本和客户验证，几年以后，才可能体现在市场份额上。

今天的14%，有周期和产能的贡献，也有八年前那次技术选择留下的结果。

半导体行业从来不缺跑得快的公司。更难的是，起跑已经晚了很多年，还能在技术发生变化的地方找到一条少追几步的路。

2018年的长江存储，押中了其中一次。

       原文标题 : 长江存储进入全球前三，八年前那次技术选择开始兑现