突破
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SK海力士突破300层技术大关，正式量产321层堆叠NAND闪存
（本篇文篇章共788字，阅读时间约2分钟） 2024年11月21日，韩国存储器巨头SK海力士宣布，已正式量产全球首款321层堆叠1Tb TLC 4D NAND闪存，标志着存储器行业又一项技术里程碑的诞生
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江波龙自研SLC NAND Flash累计出货突破1亿颗
江波龙充分发挥自身芯片设计能力，持续积极投入存储芯片设计业务，聚焦 SLC NAND Flash 等存储芯片设计。 SLC NAND Flash存储器产品是应用于网络通信设备、安防监控、物联网、便携设备等消费、工业及汽车应用场景的小容量存储器
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历史性时刻：台积电成为第一家市值突破1万亿美元的亚洲科技公司
2024年10月17日晚，台积电成为了有史以来第一家市值突破1万亿美元的亚洲科技公司。准确地说，它还是有史以来第一家市值突破1万亿美元的非美国科技公司，因为在它之前，仅有六家科技公司的市值曾经超过1万亿美元：苹果、微软、谷歌、亚马逊、Meta、英伟达，它们全是美国公司
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ITECH艾德克斯发布IT8900G/L系列新品，突破低压测试极限，开启多领域测试新篇章
在高性能测试设备领域持续创新的ITECH（艾德克斯电子）近日隆重推出了全新IT8900G/L高速大功率直流电子负载系列。作为公司在电源测试领域的重要战略产品，该系列特别针对低压带载测试进行了深入优化
ITECH艾德克斯 2024-10-17 -
特种玻璃巨头肖特发力半导体业务，新材料基板成为下一代芯片突破口
·后摩尔时代到来，全球行业头部公司先后宣布，选择特种玻璃作为下一代半导体封装基板最具潜力的新材料之一，并且在近两年纷纷布局相关产线。·行业数据演示，使用玻璃基板可以使芯片速度最高可加快40%、能耗减少最低可到50%
肖特 2024-09-18 -
突破极限： 摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024年9月13日 - 澳大利亚悉尼——专注于 Wi-Fi HaLow 解决方案的领先无晶圆厂半导体公司摩尔斯微电子（Morse Mic
摩尔斯微电子 2024-09-13 -
泰克先进半导体实验室：量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试
_____ 在泰克先进半导体开放实验室，2024年8月份，我们有幸见证了量芯微（GaN Power）新一代1200V氮化镓（GaN）功率器件的动态参数测试。量芯微作为全球首家成功流片并
泰克先进半导体实验室 2024-09-03 -
2024全球数字经济产业大会：飞算科技获“人工智能行业技术突破奖“
2024年8月27-29日，第五届全球数字经济产业大会于深圳会展中心盛大召开。作为全球数字经济产业独具规模、专业性、影响性和代表性的行业盛会，大会不仅吸引了来自全球各地的顶尖科技企业、行业领袖及专家学者，还见证了数字经济领域最新技术成果与趋势发展
飞算科技 2024-08-30 -
Ceva-Waves UWB低功耗超宽带 IP在国内荣获舱驾一体技术突破奖
帮助智能边缘设备更可靠、更高效地连接、感知和推断数据的全球领先半导体产品和软件IP授权许可厂商Ceva公司(纳斯达克股票代码：CEVA)宣布，面向移动、汽车、消费和物联网应用的低功耗超宽带IP产品Ce
Ceva 2024-08-30 -
摩尔定律再进化，2纳米之后芯片如何继续突破物理极限
提到集成电路行业，那么永远绕不过一个名词，就是摩尔定律。但摩尔定律只是经验之谈，本质是预测，并非什么物理层面的约束。 十年前，当14纳米工艺首次亮相时，整个半导体行业似乎正处于一个转折点
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今年全球半导体设备销售额将突破千亿大关
前言： 当前，半导体制造出现改善迹象，国产替代如火如荼，半导体设备企业订单充裕，整个行业景气趋势高涨； 由于，各大厂在AI终端方面持续投入，具备AI性能的芯片不断推陈出新，有望驱动新一轮换机需求。
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首个纯国产GPU的万卡集群亮相，试图群体突破
前言： 近年来，大语言模型领域取得了显著的发展，随之而来的是对算力资源需求的急剧增加。 然而，在当前的市场环境下，如英伟达A100等高端GPU的供应紧张，成为了行业面临的一大挑战。 尽管如此，这一困境也为众多国产算力厂商带来了寻找新型替代方案的机遇，促使他们积极寻求创新突破
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突破美国禁令！NVIDIA坚持把AI GPU卖到中东
快科技6月24日消息，除了对中国禁售，美国政府还严格限制NVIDIA把高性能的AI GPU卖给中东地区，防止他们转售给中国，但是最新报道显示，NVIDIA已经与卡塔尔通信巨头Ooredoo达成合作协议，突破美国的禁令
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FlexEnable将柔性显示技术推向大众市场取得历史性突破， 目前正在向客户发货
开发和生产用于有源光学和显示器的柔性有机电子产品领先企业 FlexEnable今日宣布，据称是世界首款量产的有机晶体管技术消费品开始出货。这款名为Ledger Stax的产品是安全加密钱包，由领先市场的法国公司Ledger开发
FlexEnable 2024-06-18 -
全球第二高！英伟达市值首次突破3万亿美元：超越苹果 仅次于微软
快科技6月6日消息，北京时间今天凌晨，人工智能芯片巨头英伟达股价大涨5%，刷新历史新高，市值首次突破3万亿美元，超越苹果，仅次于微软，成为全球市值第二高的公司。 截至收盘，英伟达股价上涨5.16%，报1224.4美元/股，市值为3.01万亿美元
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英伟达市值突破3万亿美元超越苹果：成为全球第二，仅次于微软
鞭牛士 今日报道 6月6日消息，人工智能巨头企业英伟达再次迎来历史时刻。英伟达曾是全球市值最高的半导体公司。如今，它成为有史以来第一家市值达到3万亿美元的计算机芯片公司。这家总部位于加州圣克拉拉的公司股价今年已上涨约147%，市值增加了约 1.8 万亿美元，因为用于支持人工智能任务的芯片需求激增
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Kanthal康泰尔创新工业电加热Globar SiC元件，为延长玻璃浮法锡槽寿命带来革命性突破
自20世纪50年代起，浮法工艺使玻璃制造业在平板玻璃的平滑度方面取得了越来越高的成就。为适应当今科技快速发展和市场需求多元化的挑战，浮法玻璃制造业正在面临新一轮的行业变革。如何进一步提高浮法锡槽的质量，优化其加热性能和使用寿命成为行业革新的关键
Kanthal 2024-04-28 -
500米口径世界最大！中国天眼有重大突破：发现900余颗新脉冲星
快科技4月17日消息，据央视新闻报道，截至目前，被誉为“中国天眼”的500米口径球面射电望远镜（FAST）已发现超900颗新脉冲星。 900余颗脉冲星中至少包括120颗双星脉冲星、170颗毫秒脉冲星、80颗暗弱的偶发脉冲星，这些发现极大拓展了人类观察宇宙视野的极限
天眼 2024-04-17 -
长江存储突破QLC闪存寿命！做到4000次P/E
SLC、MLC、TLC、QLC……NAND闪存一路发展下来，存储密度越来越高，而寿命和可靠性不断下滑，比如作为最关键的衡量指标，P/E(编程/擦写循环)次数就越来越少。
长江存储 2024-04-03 -
CFMS2024 | 江波龙：突破存储模组经营魔咒
3月20日，2024中国闪存市场峰会（以下简称“CFMS2024”）在深圳成功举行，本届CFMS2024以“存储周期 激发潜能”为主题，汇聚了全球存储产业链及终端应用企业，共同探讨新的市场形势下的机遇
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国产芯片弯道超车有望，光芯片材料大突破，光刻机不再是问题
全球各国除了继续在硅基芯片方面推进技术研发之外，其实还在量子芯片、光芯片等芯片新技术方面展开较量，而中国日前就在光芯片材料方面取得重大突破，走在了美国前面，这将加速中国光芯片的商用化。 新芯片技
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Ionomr Innovations 在性能、耐用性和效率方面取得突破， 使制氢电解槽的成本大幅降低
加拿大温哥华 – 2024年2月28日 – 全球领先的氢气应用离子交换聚合物及薄膜开发商和制造商Ionomr Innovations Inc.实现了众多业内专家认为不可能的目标
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营收突破千亿，净利润暴增681%，理想率先“上岸”
理想汽车，交出了一份“炸裂”的成绩单。 没想到的是，造车新势力中率先上岸的而是靠着增程、冰箱、大彩电的理想汽车。 根据理想汽车最新披露的财报显示，2023年全年，理想汽车营收1238.51亿元，同比增长173.48%；净利润118.09亿元，同比大增681.06%
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【深度】氮化铟镓（InGaN）核心技术仍需突破 市场存在较大开发空间
但尽管如此，氮化铟镓在技术成熟度、应用等方面仍存在较大提升空间，关键核心技术仍需进一步突破。 氮化铟镓（InGaN）又称为铟镓氮，是一种直接带隙半导体材料，由氮化铟（InN）和氮化镓（GaN）形成
氮化铟镓 2024-02-02 -
市值突破6700亿！神华超越“宁王”，真相到底是什么？
万事万物，皆为周期。 最近，中国神华市值突破6700亿，一举超越宁德时代6500亿市值，引发了市场的讨论。 一些观点认为传统能源龙头超越新能源龙头，释放了一个信号，他们认为传统能源的崛起，新能源会进入下降周期
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量子计算突破，IBM发布旗舰量子处理器Heron
前言： 近期，生成式AI和量子技术均取得了突破性进展，迎来了重要的转折点。 IBM借助其watsonx可信任的基础模型框架，成功简化了量子算法的构建方式，为实用级量子研发工作开辟了全新的道路。
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国产芯片突破，美国芯片无奈卖身，难怪雷蒙多对中国成熟芯片出手
日前美国射频大厂Qorvo无奈卖掉在中国的工厂，显示出它在中国芯片企业打破射频芯片空白后，难以应对中国芯片的竞争，只能选择退出中国市场，这类芯片属于成熟工艺芯片。 一、美国芯片曾赚得盆满钵满
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重大突破，国产芯片公布3纳米关键技术，台积电也未能实现
据媒体报道指，在美国第69届IEEE国际会议上，国产芯片企业发布了一项GAA（环绕栅极）技术，该项技术为3纳米的关键技术，显示出国产芯片并未因为芯片设备的限制而停止研发先进工艺。 GAA技术对于
国产芯片 2023-12-18 -
长安储能研究院：突破石墨负极限制 锂离子电池迎来快充时代
在锂离子电池领域，快速充电技术是发展趋势。这种技术的突破不仅满足日益增长的电动车和便携式电子产品市场需求，也是实现低碳经济的关键手段之一。尽管石墨作为当前锂离子电池的主要负极材料在众多方面表现出色，但
长安储能 2023-12-12 -
长安储能研究院谭强团队锌空气电池催化剂研究取得突破
最近几年,可充电金属空气电池由于成本低、环境友好、安全性能高等优势受到人们的广泛关注。其中，锌-空电池由于具有高的比能量密度而成为下一代最有希望的新能源电池，其理论能量密度为1350 kWh/kg。目
长安储能 2023-12-07 -
前谷歌团队Extropic获得1亿元融资，打造AI算力芯片突破技术极限
（本篇文篇章共885字，阅读时间约2分钟） 前谷歌量子计算团队的Extropic宣布成功融资1亿元，致力于研发全新型AI算力芯片，以突破技术和物理学的极限。这一消息引起了业界的广泛关注，特别是在当前生成式人工智能时代，对于算力的需求变得愈发迫切的背景下
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长安储能研究院：钠离子电池研究获新突破
长安储能研究院是由长安绿电科技有限公司全额拨款、并与西安交大国家储能研究平台的多位教授科学家共建的新能源储能科研平台，聚焦储能领域的前沿技术研究和市场洞察，推动产学研用从理论走向实至。随着全球新能源需求稳步增长，新兴储能赛道备受关注
长安储能 2023-12-04 -
进入14nm工艺，国产光刻胶大突破，减少对日本的依赖
目前的芯片制造工艺，均是光刻工艺，即通过光学--化学反应原理，将电路图传递到硅晶圆上，形成有效的电路图形。 而光刻工艺过程中，除了光刻机这种设备之外，还有一种化学材料必不可少，那就是光刻胶，它是光刻工艺中最核心的耗材，其性能决定着光刻质量
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长安储能研究院：锂硫电池技术取得突破 成本低能量密度更高
随着现代科技的高速发展与新型技术不断革新，锂硫电池逐步进入人们的视野并应用到储能领域当中。与传统锂电池相比，锂硫电池不仅拥有更高的能量密度和更低的成本，还具有循环长寿命和环境友好的特点。锂硫电池也因此被认为是拥有前景广阔的下一代储能技术，而备受关注
长安储能研究院 2023-12-01 -
国产存储芯片取得重大突破，容量提升五成，国产手机强力支持
日前国产存储芯片企业之一宣布DDR5内存取得了重大突破，这对于国产芯片来说无疑是又一个重大突破，将加快国产存储芯片替代进口芯片。 据悉国产存储芯片新推出的LPDDR5内存颗粒的容量和读取速度都提
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大突破，国产LPDDR5芯片正式发布，小米、传音等大力支持！
存储芯片，虽然不如CPU、GPU、Soc等受人瞩目，但是存储芯片在半导体行业中，属于是数量最大的一类产品，在所有芯片中占比超过三分之一。 存储芯片有很多种，比如DRAM内存、NAND闪存、Flash闪存等，但其中DRAM+NAND占了95%以上的份额，是数量、份额最高的两大类型
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AMD即将发布MI300X GPU：突破AI计算极限的新巅峰
（本篇文篇章共1950字，阅读时间约4分钟） “北京时间2023年12月7日凌晨2点，AMD将在“Advancing AI”特别活动中揭开MI300X GPU的神秘面纱
AMD 2023-11-10 -
清华大学的芯片技术大突破后，现在的硅基芯片，全部变成垃圾？
近日，有媒体报道称，清华大学的研究团队，研发出了芯片新架构，打破了摩尔定律。 这种新芯片，采用光电融合技术，其算力达到目前高性能商用芯片的3000余倍，180nm工艺的芯片，比7nm还要强。 不仅如此，其功耗是现有芯片功耗的几万分之一，能效比是现有芯片的400万倍
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