电镀蚀刻 - OFweek电子工程网

快科技5月7日消息，据媒体报道，SK海力士正在评估东京电子最新的低温蚀刻设备，该设备可以在-70℃的低温下运行，用来生成400层以上堆叠的新型3D NAND。据了解，SK海力士此次并未直接引进设备，而是选择将测试晶圆发送到东京电子的实验室进行评估，以验证新设备在生产中的实际表现

SK海力士低温蚀刻设备 2024-05-07

本文来自方正证券研究所2022年2月22日发布的报告《盛美上海：前后道电镀、槽式清洗设备获批量订单》，欲了解具体内容，请阅读报告原文，陈杭S12205191100089500页·研究框架·系列链接CP

电镀设备晶圆 2022-03-01

今天看到一份其他公司的晶圆芯片的制作工艺流程，其中有一道工艺是采用亚硫酸金钠溶液经过低温成膜形成黄金层。我们都知道晶圆在进行金属层沉积的时候，常用溅射或者蒸发的工艺，因此镀膜层厚度一般都不高，特别是镀金子的时候，100g金真的到晶圆上的不会超过20g，浪费啊

晶圆电镀溶液金属膜过程 2021-12-01

1、晶圆电镀金常用工艺过程：1、在晶圆上先做打底层金属，什么CrNiAu； TiPtAu； AiWAu等形成导电层。2、涂光刻胶、光刻电镀需要的图案。3、清洗后进行电镀4、去掉光刻胶，也会撕掉部分不需要的图案处的金5、去胶清洗6、退火2、电镀工艺控制　　电镀工艺参数的控制对镀层性能的影响很大

粗糙度晶圆镀金硬度 2021-11-30

本文将介绍一种图形电镀混夹面积自动计算公式，使电镀面积核算准确，并通过试验找出混夹生产的最佳条件，使产品孔铜厚达到客户要求，方便后续工序生产。

PCB 图形电镀 2019-07-04

PCB表面处理工艺众多，客户会根据焊接强度、焊接次数、存放时间、使用环境、器件大小、焊接方式、装配方式和成本等综合考量选择相应的表面处理工艺。

电镀厚金产品加工工艺 2019-02-20

近日就传来了好消息，中芯国际自主研发的5nm蚀刻机已成功被台积电验收。目前，台积电已宣布与中微合作。中国芯片从28nm到10nm，再到7nm，演绎着黑马奇迹，不断实现自我超越。

芯片制造光刻机蚀刻机 2019-02-18

3D NAND的出现也是因为2D NAND无法满足人们的需求。NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC几种类型之分，为了提高其容量、降低成本，NAND的制造工艺也在不断进步，厚度开始不断降低，但NAND闪存和处理器还是有很大不同的。

存储 3D NAND 2018-11-23

电镀蚀刻后线间余铜短路的问题，可能造成产线品质恶化、进度延误；本文主要通过问题现象把握，异常影响因素确定，以及根据影响因素制订展开一系列试验测试、方案验证并找出问题产生真因，通过真因改善解决异常问题。

电镀蚀刻短路金百泽 2018-10-31

日本SCIOCS有限公司和法政大学曾报导了在氮化镓（GaN）中利用光电化学（PEC）蚀刻深层高纵横比沟槽的进展。

光电化学刻蚀氮化镓沟槽 2018-09-30