???¨????
当前位置:

OFweek 电子工程网

纳米芯片

三星FD-SOI工艺开始投片生产28纳米芯片

据国外一家Advanced Substrate News媒体采访到三星欧洲的LSI业务总监Kelvin Low称,韩国三星公司与意法半导体合作开展研发的FD-SOI(全耗尽型SOI)工艺开始投片生产28纳米芯片,法国半导体公司Soitec SA为其提供SOI基底材料。

IC设计| 2015-12-25 评论

直接把纳米电子芯片插进你的细胞里

科学家首次研制成功了一种微型芯片,这种芯片能够利用为细胞生存提供能量的燃料源进行供能。而这一突破性的进展将能够使得未来的某一天,我们能够向病人体内直接植入这种芯片,而无需考虑电池消耗的问题(电池哥你怕不怕)。

IC设计| 2015-12-11 评论

台积电确定在南京建12寸芯片厂 16纳米制程2018年生产

台积电12日确定在南京设立12寸芯片厂。台积电计划对该厂投资约30亿美元,其中包括来自台积电现有设备、以及大陆政府在集成电路产业上的政策优惠。“台湾经济部投审会”今日下午表示,待台积电文件补齐后,会在两个月内核准该建厂计划。

28纳米制程FD-SOI仍有优势 物联网物超所值的芯片方案

意法半导体(STMicroelectronics)近年致力研发全空乏绝缘上覆矽(FD-SOI)技术,尽管鳍式场效电晶体(FinFET)在半导体产业获得较多注意。不过以技术与经济层面而言,FD-SOI仍有许多优势,包括临界电压(VT)选择、标准元件最佳化等等。

IC设计| 2015-11-25 评论

3D纳米结构新方法提供芯片新机遇

荷兰特温特大学MESA+研究所的科学家开发出一种创建3D纳米结构的制作方法,能生产出具有附加功能的芯片

IC设计| 2015-11-19 评论

我国北斗<font color='red'>芯片</font>跨入40<font color='red'>纳米</font>新时代

我国北斗芯片跨入40纳米新时代

日前,武汉梦芯科技有限公司自主研发的40纳米启梦TM MXT2702芯片批量生产,标志着我国北斗芯片跨入40纳米新时代,开启北斗大众消费类新篇章。

展讯16纳米4G八核芯片领先联发科

联发科劲敌大陆展讯在母公司紫光集团全力支援下,将跳过20纳米,直接使用台积电的16纳米制程生产该公司最新4G八核芯片“whale 2”,本月完成设计定案(tape out),明年第2季量产,展讯16纳米制程产品将“超车”联发科,领先约一季。

IC设计| 2015-11-06 评论

苹果A9芯片门:台积电16纳米完爆三星14纳米

在过去几周中,苹果iPhone 6s 和iPhone 6s Plus使用了两种芯片的消息成为了新的焦点。苹果在新款 iPhone 中配备了来自三星和台积电TSMC的A9芯片,三星的A9芯片尺寸更小,不过性能和续航测试显示,台积电的A9芯片表现更出色。

3D碳纳米管计算机芯片问世 运行速度可达现有芯片的1000倍

美国研究人员表示,他们使用碳纳米管替代硅为原料,让存储器和处理器采用三维方式堆叠在一起,降低了数据在两者之间的时间,从而大幅提高了计算机芯片的处理速度,运用此方法研制出的3D芯片的运行速度有可能达到目前芯片的1000倍。

3D碳纳米管计算机芯片问世

美国研究人员表示,他们使用碳纳米管替代硅为原料,让存储器和处理器采用三维方式堆叠在一起,降低了数据在两者之间的时间,从而大幅提高了计算机芯片的处理速度,运用此方法研制出的3D芯片的运行速度有可能达到目前芯片的1000倍。

IC设计| 2015-09-22 评论

台积电采用Cadence方案制作Finfet10纳米芯片

台积电(TSMC)依据Cadence提供的工具制定了10纳米芯片定制设计参照流程,他们正致力于首次将10纳米FinFet芯片推向商用。

其它| 2015-09-17 评论

中芯国际28纳米芯片加载主流智能手机

中芯国际集成电路制造有限公司日前宣布采用其28纳米工艺制程的Qualcomm骁龙410处理器已成功应用于主流智能手机,这是28纳米核心芯片实现商业化应用的重要一步,开启了先进手机芯片制造落地中国的新纪元。

德国参与欧盟7纳米高性能芯片研发

德国联邦教研部和欧盟委员会相关负责人于近日共同启动了欧洲研究项目“七纳米技术”(SeNaTe)。该项目旨在开发更小、更紧凑的集成电路,从而大幅度提高芯片的计算能力。

IC设计| 2015-08-08 评论

英特尔10纳米芯片推迟 AMD新工艺芯片进展顺利

本月早些时候,AMD公布了今年第二季度财报,除了一系列营收数据之外,AMD还透露已经放弃20nm工艺,下一代处理器以及GPU将全面进入1xnm FinFET阵营。现在,AMD的工艺更迭有了新的进展。

IC设计| 2015-07-21 评论

IBM携三星推全球首颗7纳米芯片 采EUV技术

研究实验室(IBMResearch)9日宣布,IBM与伙伴格罗方德半导体(GlobalFoundriesInc.)、三星和纽约州立大学纳米理工学院终于突破重大瓶颈,共同打造出全球首颗7纳米芯片原型,进度超越英特尔(IntelCorp.)等竞争对手。

IC设计| 2015-07-13 评论

IBM制成7纳米芯片 晶体管数量超200亿

IBM研究人员表示,他们已经开发了一种测试芯片,使用的电路尺寸远小于市面上的产品,可以在硅片上的放入更多的晶体管。

纳米级阿基米得螺旋线将K.O山寨芯片

美国田纳西州范德堡大学(Vanderbilt University)的研究人员们表示,他们已经开发出另一种更好的仿伪侦测技术——内建显微镜级的阿基米得螺旋线(Archimedean spiral),可在经过红外线激光脉冲后折射回一种独特的标识信号。

国外用铜纳米粒子实现倒装芯片接合低温化

在半导体封装技术国际学会“2015 Electronic Components and Technology Conference(ECTC)”上,IBM苏黎世研究所发表了用铜纳米粒子使铜柱的倒装芯片接合实现了低温化目标的成果。

联发科新芯片Helio P10发布:28纳米/64位八核/低功耗

这颗Helio P10芯片的设计初衷主要是面对追求时尚轻薄外型的智能手机,采用台积电28nm HPC+制程工艺,可以有效降低功耗,这也是目前最为优秀的28nm技术,相比于此前的HPM、LPM等工艺要更加优秀,在性能和功耗上都有明显提升。

IC设计| 2015-06-03 评论

联发科、台积电要小心!展讯芯片Intel代工将用14纳米

联发科、台积电小心了!中国手机芯片厂展讯(Spreadtrum)获得英特尔(Intel)加持后如虎添翼,高层放话明年发布的移动芯片将找英特尔代工,采用14纳米FinFET制程。

IC设计| 2015-05-28 评论
上一页   1  2  3  4  5  6  7 ...  384   下一页

??????°?±? 44030502002758??