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【2023 年 7 月 3 日，德国慕尼黑讯】英飞凌推出采用TO263－7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC^™ MOSFET。这款新一代车规级碳化

英飞凌 2023-08-01

氧化镓具有许多可用于高功率电子和射频放大器应用的特性：具有4．5eV的宽带隙，可以高达8MV／cm 的高临界电场，以及200cm2 ／ V－s的电子迁移率。该类器件还可以应用在恶劣和高温条件下。使用熔体生长法可以生产商业化单晶体Ga2O3基板。

氧化镓沟槽肖特基势垒二极管超低泄露 2018-12-13

日本SCIOCS有限公司和法政大学曾报导了在氮化镓（GaN）中利用光电化学（PEC）蚀刻深层高纵横比沟槽的进展。

光电化学刻蚀氮化镓沟槽 2018-09-30