STT
-
【ISSCC 2020】台积电STT-MRAM技术细节
在ISSCC 2020上台积电呈现了其基于ULL 22nm CMOS工艺的32Mb嵌入式STT－MRAM。该MRAM具有10ns的读取速度，1M个循环的写入耐久性，在150度下10年以上的数据保持能力和高抗磁场干扰能力。
相关标签
换一批
最新活动更多 >
-
11月起立即报名>> 光电类专业2025年秋季空中双选会
-
11月22日立即报名>> 【线上&线下同步会议】领英 跃迁向新 年度管理者峰会
-
11月28日立即报名>>> 2024工程师系列—工业电子技术在线会议
-
11月29日立即预约>> 【上海线下】设计，易如反掌—Creo 11发布巡展
-
即日-11.30免费预约申请>>> 燧石技术-红外热成像系列产品试用活动
-
11月30日立即试用>> 【有奖试用】爱德克IDEC-九大王牌安全产品
最新招聘
更多
