STT
-
【ISSCC 2020】台积电STT-MRAM技术细节
在ISSCC 2020上台积电呈现了其基于ULL 22nm CMOS工艺的32Mb嵌入式STT－MRAM。该MRAM具有10ns的读取速度，1M个循环的写入耐久性，在150度下10年以上的数据保持能力和高抗磁场干扰能力。
相关标签
换一批
最新活动更多 >
-
11月起立即报名>> 光电类专业2025年秋季空中双选会
-
即日-12.26立即报名>>> 【在线会议】村田用于AR/VR设计开发解决方案
-
即日-12.27点击申报>> 维科杯·OFweek 2024（第三届）储能行业年度评选
-
即日-12.27立即参评>> 维科杯·OFweek 2024锂电行业年度评选
-
企业参编中立即参编>> 前沿洞察·2025中国新型储能应用蓝皮书
-
即日-12.30点击申报>> 【限时免费】OFweek 2025储能行业榜单
最新招聘
更多
维科号
我要发文 >
