硅基
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清华大学的芯片技术大突破后，现在的硅基芯片，全部变成垃圾？
近日，有媒体报道称，清华大学的研究团队，研发出了芯片新架构，打破了摩尔定律。 这种新芯片，采用光电融合技术，其算力达到目前高性能商用芯片的3000余倍，180nm工艺的芯片，比7nm还要强。 不仅如此，其功耗是现有芯片功耗的几万分之一，能效比是现有芯片的400万倍
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【深度】硅基氮化镓（GaN-on-Si）应用前景广阔 全球布局企业数量众多
使用硅基氮化镓制备而成的充电器有着比普通充电器更快的充电速度、更高的功率输出、更低的能量损耗、更小的发热几率等，应用优势较高 硅基氮化镓（GaN-on-Si）是指由硅和氮化镓组成的复合材料，其兼
硅基氮化镓 2023-09-26 -
DB HiTek将采用硅基氮化镓技术改进8英寸半导体工艺
据媒体报道，韩国晶圆代工厂商DB HiTek采用在硅晶圆片上制备由氮化镓材料制成的薄膜来生产半导体晶圆。GaN 是下一代半导体材料，可提高通信设备、电动汽车快速充电器和太阳能转换器的电源效率。DB H
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碳化硅基PK硅基氮化镓：谁是半导体应用的赢家？
文︱立厷图︱网络到2026年,RF GaN器件市场预计将超过24亿美元。GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)和GaN-on-Si(硅基氮化镓)之间的的技术和生产竞争已经出现。Yole功率和无线部门复合半导体和新兴衬底团队首席分析师Ezgi Dogmus博士断言:“伴随新兴的RF GaN市场
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第三代半导体有望持续降本 3-5年向硅基看齐（现状、投资机会一览）
《科创板日报》(上海,研究员 宋子乔)讯,全球功率半导体IDM龙头及其他赛道的佼佼者正持续加码第三代材料。据《电子时报》报道,英飞凌大中华区电源与感测系统事业部协理陈志星日前表示,英飞凌预期三至五年后有机会把SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)成本降到跟硅基元件相仿的程度,后段制程技术也持续推进
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硅基半导体锗纳米线量子芯片研究取得重要进展
C114讯 5月19日消息(余予)来自中国科大的消息显示,中国科大郭光灿院士团队郭国平、李海欧等人与中科院物理所张建军和本源量子计算有限公司合作,在硅基半导体锗纳米线量子芯片研究中取得重要进展。研究团队首次在硅基锗空穴量子点中实现朗道g因子张量和自旋轨道耦合场方向的测量与调控
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国防科技大学QUANTA团队研发新型可编程硅基光量子计算芯片
C114讯 3月5日消息（余予）近年来，量子科技发展突飞猛进，成为新一轮科技革命和产业变革的前沿领域。国内外科技相关机构纷纷布局，欲在其中占一席之地。我国作为科技强国，自然也不例外。研发出具有实用价值的量子计算机，是量子计算领域最重要的发展目标
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打破摩尔定律，“碳基芯片”会取代硅基芯片吗？
芯片一直是国内科技业界关心我的热门话题之一，尤其是华为最近在芯片禁令上受到的困扰，让人们更深刻的意识到，芯片技术自主可控的重要性。近日，关于“碳基芯片”的消息在业内流传，据悉，碳基集成电路技术被认为是最有可能取代硅基集成电路的未来信息技术之一
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硅基氮化镓微丝阵列用于紫外光电探测
研究人员通过一种自上而下的技术来创建水平微丝，该技术与垂直导线随机放置和不均匀直径或曲率不同的波导生长方法相比，可以实现更好的生产重复性。 此外，该技术减少了对结构到另一基板的复杂剥离和层转移的需要或其他增加生产成本的复杂过程。
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AI芯天下 | 技术：硅基氮化镓，5G时代的倚天剑
数十年来，横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓（GaN－on－Si）技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
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中国首条8英寸硅基氮化镓生产线实现量产
英诺赛科（珠海）科技有限公司举行8英寸硅基氮化镓通线投产仪式。据悉，这是中国首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线。
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