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100M百兆POE接口防浪涌防静电保护方案分析
2021-06-01 16:31
东沃电子
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100M百兆POE接口防浪涌防静电保护方案有很多,接下来要分享的是TVS瞬态电压抑制二极管5．0SMDJ58CA、SMCJ58CA和ESD静电保护二极管DW03DLC-B在100M百兆POE接口防护方案中的应用,具体方案图如下:
从方案图中可以看出,选用了TVS二极管5．0SMDJ58CA和SMCJ58CA为100M百兆POE接口防浪涌过电压,选用了ESD二极管DW03DLC-B免受静电放电的伤害。有关5．0SMDJ58CA、SMCJ58CA、DW03DLC-B具体参数详情如下:
1)TVS二极管5．0SMDJ58CA,双向贴片
峰值脉冲功率:5000 W
峰值脉冲电流:53．42 A
最小击穿电压:64．4 V
最大击穿电压:71．2 V
工作电压:58 V
钳位电压:93．6 V
漏电流:5 uA
封装形式:SMC/DO-214AB
2)TVS二极管SMCJ58CA,双向贴片
峰值脉冲功率:1500 W
峰值脉冲电流:16．03 A
最小击穿电压:64．4 V
最大击穿电压:71．2 V
工作电压:58 V
钳位电压:93．6 V
漏电流:1 uA
封装形式:SMC/DO-214AB
3)ESD二极管DW03DLC-B,双向贴片
峰值脉冲功率:350 W
最小击穿电压:4．0 V
工作电压:3．3 V
钳位电压:7．0 V
漏电流:1 uA
封装形式:SOD-323
结电容:1pF
想了解更多有关100M百兆POE接口防浪涌防静电保护方案和电路保护器件5．0SMDJ58CA、SMCJ58CA、DW03DLC-B产品参数、手册、应用等,可随时关注和咨询我们!
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