100M百兆POE接口防浪涌防静电保护方案分析

2021-06-01 16:31

100M百兆POE接口防浪涌防静电保护方案有很多,接下来要分享的是TVS瞬态电压抑制二极管5．0SMDJ58CA、SMCJ58CA和ESD静电保护二极管DW03DLC-B在100M百兆POE接口防护方案中的应用,具体方案图如下:

100M百兆POE端口浪涌静电保护设计方案及电路保护器件选型分析

从方案图中可以看出,选用了TVS二极管5．0SMDJ58CA和SMCJ58CA为100M百兆POE接口防浪涌过电压,选用了ESD二极管DW03DLC-B免受静电放电的伤害。有关5．0SMDJ58CA、SMCJ58CA、DW03DLC-B具体参数详情如下:

1)TVS二极管5．0SMDJ58CA,双向贴片

峰值脉冲功率:5000 W

峰值脉冲电流:53．42 A

最小击穿电压:64．4 V

最大击穿电压:71．2 V

工作电压:58 V

钳位电压:93．6 V

漏电流:5 uA

封装形式:SMC/DO-214AB

2)TVS二极管SMCJ58CA,双向贴片

峰值脉冲功率:1500 W

峰值脉冲电流:16．03 A

最小击穿电压:64．4 V

最大击穿电压:71．2 V

工作电压:58 V

钳位电压:93．6 V

漏电流:1 uA

封装形式:SMC/DO-214AB

3)ESD二极管DW03DLC-B,双向贴片

峰值脉冲功率:350 W

最小击穿电压:4．0 V

工作电压:3．3 V

钳位电压:7．0 V

漏电流:1 uA

封装形式:SOD-323

结电容:1pF

想了解更多有关100M百兆POE接口防浪涌防静电保护方案和电路保护器件5．0SMDJ58CA、SMCJ58CA、DW03DLC-B产品参数、手册、应用等,可随时关注和咨询我们!

100M百兆POE端口浪涌静电保护设计方案及电路保护器件选型分析

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