基于TrEOS的保护技术可提供行业领先的插入损耗和回波损耗，有助于满足有限的系统预算要求

奈梅亨，2022年6月16日：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出两款经优化的静电放电（ESD）保护二极管件，适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。PESD2V8Y1BSF专为保护USB4 （Thunderbolt）接口而设计，而PESD4V0Y1BCSF可适用于USB4以及HDMI 2．1。这两款产品均使用Nexperia的成熟TrEOS技术，集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。

重定时器和信号中继器是设计高速USB4接口常用的器件。它们需要电路板走线变更短，从而降低寄生电感，但也会意外地降低整体系统级ESD稳健性。PESD2V8Y1BSF和PESD4V0Y1BCSF较低的超快传输线路脉冲（vfTLP）峰值钳位电压，甚至低于标准I（V） TLP曲线中无明显的触发电压的USB4保护解决方案。这有助于补偿保护器件和重定时器之间减少的电感，从而提高整体系统级ESD稳健性。为达到ESD的预算损耗建议值，这两款器件均可提供超低插入损耗（10 GHz下为－0．29 dB）和回波损耗（10 GHz下为－20．6 dB）。与其他解决方案不同的是，电容不会随工作电压增加，可提供完整的RF性能直到反向截止电压。

相较于其他ESD保护二极管件，PESD2V8Y1BSF和PESD4V0Y1BCSF可直接放置在所保护器件的连接器旁边，因此可提供更大的设计灵活性。这意味着交流耦合电容也会受到保护。此外，它将大部分线路电感置于ESD保护和被保护器件之间，以优化系统的ESD性能。Nexperia高级产品经理Stefan Seider表示：“Nexperia通过提供尽可能降低ESD保护对总预算影响的器件，帮助设计工程师在预算有限的情况下，满足高速USB4数据线的插入损耗和回波损耗要求。这两款器件在优化系统级ESD稳健性和RF性能之间实现了出色的平衡。”

为了向下兼容可通过USB Type－C连接的旧接口标准（如USB3．2），PESD2V8Y1BSF设有2．8 V的反向截止电压VRWM，而PESD4V0Y1BCSF的VRWM为4 V，因此还可适用于HDMI 2．1。两款器件均使用TrEOS技术，其RF性能在动作电压范围内均不会下降。除了USB4和HDMI 2．1以外，两款器件还可用于保护PCIe和DisplayPort接口。

关于Nexperia

Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管（GaN FET）以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付1000多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面获得行业广泛认可，拥有先进的小尺寸封装技术，可有效节省功耗及空间。

凭借几十年来的专业经验，Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过14，000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司（600745．SS）的子公司，拥有庞大的知识产权组合，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001认证。