Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET （ASFET），SOA性能翻倍

2022-11-18 18:40

全面优化12V热插拔和软启动应用中控制浪涌电流的RDS（on）和SOA

奈梅亨，2022年11月18日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件。新款器件将业内领先的安全工作区（SOA）性能与超低的RDS（on）相结合，非常适合用于12V热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。

多年来，Nexperia致力于将成熟的MOSFET专业知识和广泛的应用经验结合起来，增强器件中关键MOSFET的性能，满足特定应用的要求，以打造市场领先的ASFET。自ASFET推出以来，针对电池隔离（BMS）、直流电机控制、以太网供电（POE）和汽车安全气囊等应用的产品优化升级不断取得成功。

浪涌电流给热插拔应用带来了可靠性挑战。为了应对这一挑战，增强型SOA MOSFET领域的前沿企业Nexperia专门针对此类应用进行了全面升级，设计了适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，并增强了SOA性能。与之前的技术相比，PSMNR67－30YLE ASFET的SOA（12V ＠100mS）性能提高到了2．2倍，同时RDS（on）（最大值）低至0．7mΩ。与未优化器件相比，新款器件不仅消除了Spirito效应（表示为SOA曲线的更高压区域中更为陡峭的斜向下曲线），还同时保持了整个电压和温度范围内的出色性能。

Nexperia通过在125°C下对新款器件进行完全表征，并提供高温下的SOA数据曲线，消除了热降额设计的必要性，从而为设计人员提供进一步支持。

8款新产品（3款25V和5款30V）现已可选择LFPAK56或LFPAK56E封装，其中RDS（on）范围为0．7m?到2m?，可适用于大多数热插拔和软启动应用。其他2款25V产品的RDS（on）更低，仅为0．5m?，预计将于未来几个月内发布。

关于Nexperia

Nexperia，作为生产大批量基础半导体二极管件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管（GaN FET）以及模拟IC和逻辑IC。Nexperia总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付1000多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面获得行业广泛认可，拥有先进的小尺寸封装技术，可有效节省功耗及空间。

凭借几十年来的专业经验，Nexperia持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过14，000名员工。Nexperia是闻泰科技股份有限公司（600745．SS）的子公司，拥有庞大的知识产权组合，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001认证。