Transphorm FET 使用简单的半桥栅极驱动器实现了高达 99％ 的效率，

验证了在超过 1 kW 的宽功率范围内具有成本效益的设计方案

加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代电力系统的未来， 氮化镓（GaN）功率转换产品的全球领先供应商Transphorm， Inc．（Nasdaq： TGAN）发布了一款高性能、低成本的驱动器解决方案。这款设计方案面向中低功率的应用，适用于LED照明、充电、微型逆变器、UPS和电竟电脑，加强了公司在这个30亿美元电力市场客户的价值主张。

不同于同类竞争的 e－mode GaN 解决方案需要采用定制驱动器或栅极保护器件的电平移位电路，Transphorm 的 SuperGaN® FET由于可以与市售的驱动器搭配使用，更易于驱动，因此可提升客户使用Transphorm器件的成本优势。本次发布的新款解决方案采用高速、非隔离式、高电压半桥栅极驱动器，在不影响 GaN FET 或系统性能的情况下，进一步降低了系统总成本。

Transphorm业务发展和市场营销高级副总裁Philip Zuk表示：“我们的常关型氮化镓平台能够与业界熟知的市售驱动器配合使用，更适合市场应用，也更受市场欢迎。能够根据需要来选定驱动器，对客户来说是一个非常重要的优势。客户可以为不同性能优势权重的设计挑选相应的驱动，从而更好地控制电力系统的成本。这对价格敏感的终端市场尤为重要。Transphorm 的GaN能够提供更高性能，采用我们的氮化镓器件，客户可以根据最终结果来挑选BOM，从而以极佳的成本效益实现所需的性能。”

Transphorm还推荐各种其它驱动器，这些驱动具有高额定隔离电压（控制至输出的驱动信号）、短延迟、快速开启／关断、以及可编程死区时间等等优点，非常适合较高功率的应用。

电源适配器、电竟笔记本电脑充电器、LED照明、以及两轮车和三轮车充电等中低功率应用对价格非常敏感，这些产品中的电源系统通常不需要类似安全隔离这样的先进功能，使用高阶的驱动器可能导致BOM成本不必要升高。

性能分析

该半桥栅极驱动器采用了 Transphorm 的 650 V、72 mΩ PQFN88 封装器件 TP65H070LSG 进行测试。可用于桥式拓扑结构，如谐振半桥、图腾柱 PFC、正弦波逆变器或有源箝位反激式电路。

测试结果表明，无论是否使用散热器或强制空气进行冷却，该低成本的驱动解决方案在低于／等于150kHz 的开关频率下均运行良好。此解决方案最终在选定的配置中实现了接近 99％ 的效率。

获取应用指南

如需了解有关上述解决方案的更多详情，请下载Transphorm应用指南AN0014 ： 『面向中低功率 GaN FET 应用的低成本、高密度、高电压硅驱动器（Low Cost， High Density， High Voltage Silicon Driver for Low－ to Mid－Power GaN FET Applications）。

关于Transphorm

Transphorm， Inc．是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1，000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC－Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99％、将功率密度提高50％以及将系统成本降低20％。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。