新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管，扩展Transphorm多样化的产品封装组合

加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 29 日 － 代表着下一代电源系统未来的，氮化镓（GaN）功率半导体的全球领先供应商 Transphorm， Inc．（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN? FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧，为业界首个采用JEDEC标准（MO－332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。针对不适合使用传统底部散热型表贴器件的系统，TOLT封装为客户提供了更为灵活的热管理方案。采用TOLT 封装，不仅热性能可媲美广泛使用的、热性能稳定的TO－247插孔封装，还具有基于SMD的印刷电路板组装（PCBA）实现高效制造流程的额外优势。

TP65H070G4RS 采用了 Transphorm 强大的高性能 650 V 常闭型 d－mode 氮化镓平台，该平台具有更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗、反向恢复电荷和动态电阻，从而效率优于硅、碳化硅和其他氮化镓产品。SuperGaN 平台的优势与 TOLT 封装更好的散热性及系统组装灵活性相结合，为寻求推出具有更高功率密度和效率、总体功率系统成本更低的电源系统客户提供了高性能、高可靠性的GaN解决方案。

Transphorm正在与全球多个高功率GaN合作伙伴展开合作，包括服务器和存储电源领域的领先客户，能源／微逆变器领域的全球领导者，创新型离网电源解决方案制造商，以及卫星通信领域的领军企业。

Transphorm业务发展及市场营销高级副总裁 Philip Zuk 表示：“TOLL 和 TOLT 这样的表面贴装器件具有降低内部电感，以及在制造过程中更简单的板载安装等诸多优势。TOLT 通过采用顶部散热来提供更灵活的整体热管理，具有类似插孔式的散热性能。这些器件通常用于中高功率系统应用，关键细分市场包括高性能计算（服务器、电信、人工智能电源）、可再生能源和工业、以及电动汽车等。目前，其中一些市场应用已采用了Transphorm的氮化镓技术。我们非常高兴能够通过TOLT SuperGaN 解决方案帮助客户实现额外的系统级优势。”

继最近推出三款新型TOLL FET后，Transphorm发布该款TOLT FET新产品，进一步丰富了 Transphorm 的产品线，并彰显了Transphorm SuperGaN 平台采用不同封装形式器件“镓”驭全功率以支持客户应用的市场承诺。

器件规格

SuperGaN 器件凭藉其无与伦比的性能优势引领市场：

l 可靠性：FIT失效率低于0．05

l 栅极安全裕度：± 20 V

l 抗扰性：4 V

l 电阻温度系数（TCR）比 e－mode 常闭型氮化镓器件低 20％

l 驱动灵活性（可采用标准的市售硅器件驱动器）

该650 V SuperGaN TOLT 封装器件稳健可靠，已通过 JEDEC 标准认证。由于常闭型 d－mode 平台是将GaN HEMT与一个集成型低电压硅 MOSFET结合，因此，SuperGaN FET 可以使用常用的市售栅极驱动器驱动，应用于各种硬开关和软开关 AC－DC、DC－DC 和 DC－AC 拓扑中，提高功率密度，并减少系统尺寸、重量和成本。

关于Transphorm

Transphorm， Inc．是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1，000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC－Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99％、将功率密度提高50％以及将系统成本降低20％。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。