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美光科技2025财年第二财季财报（截至 2025 年 2 月 27 日），实现营收80.5亿美元，同比增长38%，非GAAP净利润17.8亿美元，毛利率37.9%。

在业务板块中，数据中心、移动和汽车等领域亮点频现，特别是高带宽内存（HBM）和低功耗DRAM（LPDDR）的需求，推动计算和网络业务部门（CNBU）营收占比达57%，创历史新高。

美光预计2025财年第三财季营收将创新高，受益于DRAM和NAND需求增长以及市场供需的良好前景。

Part 1

美光财务业绩与业务板块分析

● 美光科技2025财年第二财季的财务数据：

◎ 营收达80.5亿美元，环比下降8%（上一财季为87.1亿美元），同比增长38%（去年同期为58.2亿美元）

◎ 非GAAP运营结果，毛利率为37.9%，运营收入20.07亿美元，净利润17.83亿美元，经营活动现金流39.4亿美元

◎ 从GAAP角度看，净利润为15.83亿美元，资本支出净额为30.9亿美元，调整后自由现金流8.57亿美元，现金及可销售投资余额达96亿美元。

美光科技的业务分为四大板块：计算和网络业务部门（CNBU）、存储业务部门（SBU）、移动业务部门（MBU）和嵌入式业务部门（EBU）。

各板块在本财季的表现既有亮点，也有挑战。

● 计算和网络业务部门（CNBU）

CNBU是美光本财季的营收主力，贡献46亿美元，占总营收的57%，连续三个季度创历史新高。要由高带宽内存（HBM）需求的爆发推动，HBM收入突破10亿美元，环比增长超50%。

2025年，大型超大规模客户资本投资将显著增长，预计服务器出货量实现中等个位数增长，涵盖传统和AI服务器。

HBM市场需求强劲，2025年市场规模预计超过350亿美元，并在Q4达到与DRAM相似的市场份额。2025年HBM产量已售罄，2026年需求依然旺盛，正与客户洽谈合作。

美光的HBM3E相比竞品功耗低30%，12H版本比竞品8H功耗低20%且容量高50%。目前HBM3E 12H已量产，重点提升产能和良品率，下半年将成为HBM出货主力。

HBM在平台和客户认证方面进展顺利，已经开始向第三个大客户批量出货，2025财年HBM收入预计达数十亿美元。

HBM4计划于2026年量产，带宽较HBM3E提高60%以上，满足客户需求，助力美光通过下一代HBM获利。

在数据中心应用方面，美光引领LP技术，其在AI服务器中的功耗比D5低三分之二以上，保持服务器LP领域的领先地位。

与英伟达合作开发的SOCAMM易于制造和维护，促进LP广泛应用。2025财年，高容量D5和LP产品组合收入有望达数十亿美元。

数据中心NAND需求在本财季因客户库存调整而有所缓和，但未来几个月比特出货量预计将回升。

2024年Q4，数据中心SSD市场份额创新高，各类别收入均增长。9550 SSD通过多个客户认证，G8 QLC NAND组件也获得了Pure Storage的认可。

美光的数据中心级NAND帮助客户利用先进技术，推动数据中心从HDD向NAND转变。

● 存储业务部门（SBU）

SBU营收14亿美元，环比下降20%，受数据中心客户存储投资减少和NAND行业定价压力影响。

美光在NAND技术上保持领先，其G9 NAND技术节点提供行业最快的TLC产品，通过合理控制产能爬坡，有效平衡供需，避免了价格战的恶性竞争。

● 移动业务部门（MBU）

MBU营收为11亿美元，比上一季度下降了30%，但市场需求依然旺盛。

美光的9.6Gbps LP5X DRAM和UFS 4.0 NAND被三星Galaxy S25高端机型采用，提升了智能手机的AI性能。预计2025年智能手机出货量增长率低于5%，而本财年第三季移动DRAM和NAND比特出货量因客户库存调整按预期增长。

AI应用推动了移动DRAM需求的增长，旗舰手机的DRAM容量从8GB增加到了12GB或更高。使用美光的LP5X DRAM，智能手机每秒能多处理20%的计算任务。

美光正在测试行业首款1TB G9管理型NAND（基于UFS 4.1），以满足高容量存储需求，并持续为旗舰和高端智能手机提供先进的DRAM和UFS存储解决方案。

● 嵌入式业务部门（EBU）

EBU营收10亿美元，环比下降3%，受汽车客户库存调整影响。

汽车是 EBU 收入最大部分，每辆车内存和存储容量因车载 AI 系统和驾驶辅助功能提升而增加。Robotaxi自动驾驶出租车平台的 DRAM 容量超 200GB，比普通汽车高 20 到 30 倍。

美光拥有行业领先汽车产品组合，本财季宣布首款支持 9.6Gbps 速度等级的汽车级 LP5x DRAM 产品可量产，满足车载 AI 应用性能需求。

美光 4150 SSD 成为首款通过汽车认证的企业级 SSD 产品，已向目标客户送样，巩固其在汽车市场的创新和领先地位。

Part 2

技术与运营层面分析及未来展望

● 美光携手 NVIDIA，在 AI 内存领域掀起风浪，同时出货 HBM3E 和 SOCAMM 产品的数据中心内存公司。

◎ 其 SOCAMM 由与 NVIDIA 合作开发，具备超高性能，带宽比 RDIMM 高 2.5 倍，体积仅为其三分之一，功耗降低至三分之一，容量高达 128GB 。

◎ 美光 HBM3E 产品也优势显著，HBM3E 12H 36GB 比竞品 8H 24GB 容量增加 50%，功耗降低 20%。

◎ 美光还计划推出性能提升超 50% 的 HBM4，拥有完整 AI 存储产品组合，如高性能 SSD 等，从数据中心到边缘，为 AI 发展提供坚实内存与存储支撑。

● 美光科技在存储技术上的持续创新是其核心竞争力，进一步巩固了DRAM技术的领先地位。

◎ 1-beta DRAM技术已广泛应用。

◎ 而1-gamma节点的推出和基于1-gamma的D5产品出货标志着技术升级的又一里程碑。1-gamma首次采用EUV技术，在功耗、性能和位密度上显著提升，为高性能计算提供了强力支持。

◎ 在HBM领域，美光HBM3E 12H提供36GB容量，功耗降低20%，性能领先竞品，HBM4的研发也在推进，预计性能将提升50%以上。

在低功耗领域，SOCAMM解决方案树立了AI内存的新标杆。与传统RDIMM相比，SOCAMM体积仅为三分之一，功耗降低三分之二，带宽提升2.5倍，容量高达128GB。

这一模块化设计不仅提升了性能和能效，还增强了服务器的可维护性，特别适用于液冷架构。NAND方面，G9技术节点的行业领先性能为数据中心和移动设备提供了高效存储解决方案。

在新加坡建设HBM先进封装设施，爱达荷州新建DRAM工厂获得CHIPS法案资金支持，这些项目将显著提升产能。公司2025财年资本支出计划为140亿美元，主要用于HBM生产、设施建设和研发，确保技术与市场的同步发展。

2025财年第三财季表现乐观，预计营收达88亿美元±2亿美元，非GAAP毛利率36.5%±1.0%，每股收益1.57美元±0.10美元，由DRAM和NAND出货量提升驱动。

市场供需前景良好，2025年DRAM位需求预计增长15%-20%，NAND增长10%-15%，中长期复合年增长率约15%，供应增长控制在低于需求增长的水平，维持市场份额，同时谨慎管理NAND供应和资本投资，稳定价格并提升盈利能力。

小结

美光科技让我们看到AI 算力浪潮下内存需求的井喷式爆发，存储的需求很强。

       原文标题 : 美光科技2025财年第二财季：内存需求增长，业务占比历史新高