详解热管工作原理及其分类特性
热管是一种新型的高效传热器件。具有导热性能高、结构简单、工作可靠、温度均匀与等温性等特点。可广泛用于电子设备、高密度组装器件、高功率密度元器件的传热和热控制等。
热电制冷的原理是什么？
热电制冷是利用珀尔帖效应的原理进行制冷的，其制冷效果主要取决于两种电偶对材料的热电势。由于半导体材料具有较高的热电势，因此，可以用它来做成小型的热电制冷器。
一次性充电宝评测：这么便宜有什么猫腻
?最近有人给我安利一种一次性的充电宝，而且很便宜，10块钱左右就能买到。充电宝为什么还有一次性的？这么便宜有什么猫腻？这种充电宝真的能给手机充上电么？
荣耀V20 VS iPhone XS Max散热对比评测
在使用过程中，手机发热会导致手机处理器进行自我保护，当处理器达到一定温度时会自动降低频率，减小功耗来进行主动散热。因此手机发热还会在使用过程中带来某些卡顿现象。
Tt Smart G 550W金牌全模组电源开箱拆解
电源是整台电脑里最重要的配件之一，虽然不决定性能，但确是其他硬件稳定运行的保证。去年为二奶机的HD6970显卡弄了个450W的铜牌电源，结果CPU换成2500K一超频就会重启。
IGBT在逆变器和变频电源中的应用分析
作为主流的新型电力电子器件之一，IGBT在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车、新能源装备，以及工业领域(高压大电流场合的交直流电转换和变频控制)等应用极广，是上述应用中的核心技术。
电子设备的液体冷却(二)
由于传热是一个复杂的过程，涉及的因素又如此之多，因此难以找到单项的评价标准来比较各种冷却液体的冷却效果。但可以找出某种特定工作条件下，影响传热的主要标准，并可作为一般指导原则。
京瓷：用精密陶瓷技术让我们感知未来的汽车世界
2018年12月20日-22日，在深圳会展中心举行的深圳国际电子展（ELEXCON2018）上，京瓷展示的模拟驾驶舱和先进的汽车相关解决方案备受业内关注。
开关电源系统电源提高效率设计技巧及方法！
如果使用非常廉价的电感和电容（具有较高电阻），将会导致损耗明显增大。同时在选择开关电源IC 时，需要考虑控制器的架构和内部器件；也可以获得高的效率设计！
回顾Lmuia920，六年时间手机无线充电发生了怎样的变化？
最近偶然间翻看到一篇古早的Lumia920评测文章，看到关于无线充电的测试数据时顿生感慨。六年的时间，无线充电到底发生了怎样的变化？
全方位对比：公牛小白USB插座PK小米USB插排
随着智能家居概念的兴起以及手机等移动终端的普及，对于USB充电的需求水涨船高，传统插座已经难以满足用户需求。在此情形下，市面上诞生了一批新型插座，它们除了配备强电插孔外还携带了USB充电接口，能够对手机、平板、相机等数码设备进行供电。
华为Mate20黑科技，反向充电是如何做到的
在现在，手机的续航时间可以说也成了大部分用户购机时最基本的考虑条件，目前市场上续航能力强，充电速度快的手机越来越为人们所青睐。而像华为这种还可以给其他手机反向充电的产品可以说更受欢迎了。
三星关闭天津工厂后续：将新建新能源电池工厂
近日，三星宣布将于年底关闭位于天津的工厂后，各种关于三星的传闻铺天盖地而来，比如三星要从中国撤资，但根据新华社最新消息显示，三星只是将在天津的投资重点从智能手机转向了MLCC（多层陶瓷电容器）、锂离子动力电池等技术领域。
135款！最新无线充电手机汇总
早些时候我们报道了WPC无线充电联盟最新Qi认证手机列表，为了了解更为全面的无线充行业情况，如今我们再次盘点市面有哪些无线充手机，汇总形成表格得知支持无线充的手机有135款。
远距离带来的新体验，35mm微鹅隔空无线充电上手评测
随着短距离无线充电应用的增多，向往更远距离、更大自由度的消费者们，势必会产生远距离无线充电的需求。这是一个值得探究的点，也是无线充电非常重要的发展方向。
AnDAPT发布突破性的Adaptable PMIC产品组合
凭借这一独特技术，AnDAPT 能够迅速发布多种具有完全不同拓扑结构的现成PMIC，涵盖广泛的客户应用，仅依赖于一颗经过充分验证过的 AmP 单芯片平台。
哈罗单车起诉LG电池：法院已正式受理
确认事故原因之后，哈罗公司和乐金化学交涉，但未能达成一致意见。乐金化学认为，造成电芯故障的原因是哈罗公司“不当使用”。
本田开发出新一代氟离子电池：能量密度高锂电池10倍
据报道，由本田研究所的科学家，加州理工学院和美国宇航局喷气推进实验室的研究人员组成的研究团队在周四宣布，他们开发出了新一代氟离子电池，能量密度比锂离子电池高10倍，温度更稳定，未来很可能取代锂电池成为电动汽车的专用电池。
三菱电机联合东京大学提出提高SiC功率半导体可靠性的新机制
在美国加利福尼亚州旧金山举行的IEEE第64届国际电子设备会议（IEDM 2018）（12月1日至5日）上，三菱电机公司和东京大学提出了提高SiC功率半导体可靠性的新机制。
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