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缓冲/存储技术

技术应用

AI数据存储设备选型的6个关键要素

人工智能(AI)和机器学习将成为帮助企业利用其核心数字资产创造竞争优势的很重要工具之一。但在选购AI数据存储设备之前,企业必须考虑机器学习平台在获取、处理和保留数据时的一系列需求。

缓冲/存储技术 | 2019-10-18 10:24 评论

一文读懂存储器的工作原理

存储器就是用来存放数据的地方。它是利用电平的高低来存放数据的,也就是说,它存放的实际上是电平的高、低,而不是我们所习惯认为的1234这样的数字,这样,我们的一个谜团就解开了,计算机也没什么神秘的吗。

缓冲/存储技术 | 2019-05-14 16:38 评论

单片机的特殊功能寄存器

在单片机中有一些独立的存储单元是用来控制这些器件的,被称之为特殊功能寄存器(SFR)。

缓冲/存储技术 | 2019-01-15 14:18 评论

自己动手修硬盘!笔记本硬盘维修攻略分享

笔记本电脑是我们经常使用的电子设备。它们经常在人们外出工作或旅行时使用。但是,由于笔记本电脑经常移动,它们无法得到照顾,导致笔记本电脑内部部件(尤其是笔记本电脑硬盘)频繁损坏。

缓冲/存储技术 | 2018-10-15 16:11 评论

坚果R1带来手机存储新高度 TB级别已不再遥远

令人震撼的是,坚果R1在最顶配版本中加入了8GB+1TB存储组合的版本,顿时让现场所有人望而生畏。大家纷纷感叹这款“次时代”新手机的同时,还都对这1TB的存储感到十分的好奇。

缓冲/存储技术 | 2018-05-23 09:38 评论

关于怎么选购内存 你想知道的都在这里

在无人的深夜,你是否曾为购买怎样的内存而困惑?在无数个电闪雷鸣的夜晚,你是否曾经为不懂内存只敢买大牌花冤枉钱而捶胸顿足?今天某冬就带大家了解一下内存的简单小知识,让你在选购内存时不再烦恼!

缓冲/存储技术 | 2018-03-31 09:15 评论

【科普】DRAM、FLASH、DDR定义及其厂商

flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。

缓冲/存储技术 | 2017-07-24 07:17 评论

【分析与研究】英特尔3D XPoint内存封装逆向

英特尔和美光在2015年8月推出了3D XPoint,打造出25年以来的首款新型态内存技术。2016年,英特尔发布采用3D XPoint技术的Optane品牌储存产品 ,成为该技术最先上市的新一代高性能固态硬盘系列。

缓冲/存储技术 | 2017-07-09 02:17 评论

如何避开雷区?手机快充的那点事

快充的原理说起来并不复杂,之所以充电快,无非就是采用了高功率的充电器。只要电池能承受的住高电压大电流,那么快充就有实现的先决条件。那么充电器如何判断电池是否适合快充?这就需要快充协议了。

缓冲/存储技术 | 2017-06-26 16:00 评论

或将改变PC理论架构?浅析Intel的傲腾存储技术

从目前来看,无论是SSD还是HDD市场都已经逐渐形成寡头形态,无论是希捷和西部数据垄断HDD市场,还是三星、SK海力士、美光、闪迪以及东芝瓜分闪存市场,新进厂商的技术和资金门槛都非常高,即便像紫光这样大举杀入半导体市场的企业,投资数千亿元,都难有撼动市场格局的能力。

缓冲/存储技术 | 2017-06-26 11:51 评论

便携式储能它最行 走近石墨烯柔性超级电容器

随着科学技术的进步,工业化和信息化的迅速发展,计算机、移动电话、照相机等电子产品已成为生活中的必需品。由台式机向笔记本电脑、座机向移动电话的转变,都表明人类对电子设备的要求已不仅仅局限在“可使用”,而是逐步向便携化迈进。

缓冲/存储技术 | 2017-05-18 11:54 评论

关于嵌入式闪存的一些错误观念

尽管基于多晶硅浮栅的嵌入式闪存广泛部署在汽车、工业和消费类应用领域的一系列产品中,并且是非易失性存储器技术的典范,但关于嵌入式闪存技术仍有一些错误的观念,这正是我想要努力澄清的。

缓冲/存储技术 | 2017-05-04 11:09 评论

储存和存储器的不同特性比较

从储存的观点来看,程式和数据是同一个硬币的两面。它们是由二进制数字串组成,只有电脑才能使其具有意义。根据其应用方式,储存装置的要求是不同的。当程式和数据同时使用时,用于支援他们的媒体称为“主存储器”或仅以“存储器”(memory)表示...

缓冲/存储技术 | 2017-04-02 07:39 评论

USB PD协议或成快充最后的胜利者

快充可以说是指纹识别之后,再一个真正解决用户体验痛点的技术。在电池技术出现革命性突破之前,快充无疑会成为解决续航问题的最佳方案。也正是如此,快充同指纹识别一样,已经不再是旗舰机专属。如今,即使是千元机,也已经开始普及快充功能。

缓冲/存储技术 | 2017-03-30 11:58 评论

SD卡三大新标准梳理:UHS-III、A2、LV代表啥?

SD卡协会近几周公布的三大新标准,分别是UHS-III总线、A2标识和LVS,其中后两者都是SD 6/0标准规范的一部分。先说UHS-III,峰值速度提高到624MB/s(全双工),主要目的是为满足相机、手机等设备的需求,SD协会也希望更多的设备能够支持读取UHS-III的存储卡。

缓冲/存储技术 | 2017-03-14 00:52 评论

DDRx的关键技术介绍

差分时钟是DDR的一个重要且必要的设计,但大家对CK#(CKN)的作用认识很少,很多人理解为第二个触发时钟,其实它的真实作用是起到触发时钟校准的作用。

缓冲/存储技术 | 2017-02-08 10:57 评论

DDR的前世与今生

DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM,中文名为“双倍数据率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基础上改进而来,严格的说DDR应该叫DDR SDRAM,人们习惯称为DDR。

缓冲/存储技术 | 2017-02-08 10:26 评论

2D NAND和3D NAND间有哪些区别和联系?

如果用一个词来描述2016年的固态硬盘市场的话,那么闪存颗粒绝对是会被提及的一个关键热词。在过去的2016年里,围绕着闪存颗粒发生了一系列大事,包括闪存颗粒的量产引发固态涨价,闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争,以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。

缓冲/存储技术 | 2017-02-06 15:34 评论

一文通解基于VLT技术的新型DRAM内存单元

垂直分层闸流体,是Kilopass研发出的新型内存单元,能够显著降低动态随机存取内存(DRAM)的成本和复杂性。这是一种静态的内存单元,无需刷新操作;兼容于现有晶圆厂的制造设备,也无需任何新的材料或工艺。

缓冲/存储技术 | 2017-01-01 07:14 评论

原来这些充电习惯有损电池寿命

在这个智能手机一天一冲的时代,给手机充电几乎是我们每个人必做的一件事,但是有好多朋友的充电存在着问题,今天小编就给大家介绍几个有损电池寿命的充电习惯。

缓冲/存储技术 | 2016-12-28 14:45 评论
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