eMMC是针对智能型手机（Smartphone）所设计的内嵌式存储器规格，是外接式记忆卡MMC的延伸，eMMC之后也扩散至平板计算机（Tablet PC）应用领域。

　　eMMC设计概念是把NAND Flash芯片和控制芯片封装成BGA封装芯片，可节省电路板的面积，客户设计新产品时，也不需考虑内建NAND Flash芯片的三星电子（Samsung Electronics）、美光（Micron）、东芝（Toshiba），或是35纳米、24纳米或19纳米制程，便利了手机客户设计的程序和新产品问世时间点。

　　快闪记忆卡协会SD协会也同样推出eSD规格，但目前eMMC在智能型手机内嵌式存储器领域的领导位置无可动摇，几乎是所有手机大厂储存接口的标准，除了苹果（Apple）必采用自家的设计规范外。

　　eMMC规格的标准这几年也快速演进，从eMMC4.3、eMMC4.4、eMMC4.5陆续问世，而预计接棒eMMC规格的会是三星电子（Samsung Electronics）主导的UFS（Universal Flash Storage），会把Mobile RAM等芯片功能都涵盖。

　　在智能型手机领域中，eMMC规格是主流，但在平板计算机或是轻薄型笔记本电脑（NB）上，仍要和SATA接口的固态硬盘（SSD）做竞争，毕竟SATA SSD有读写速度上的优势，不论是随机效能（Random Performance）或是连续效能（Sequential Performance）等，内嵌式iSSD也都明显优于eMMC，较适合PC类的产品应用，例如新帝的iSSD产品就是SATA接口SSD的代表。

　　讨论到eMMC的发展历程，必须要从介绍Flash的历史开始

　　Flash分为两种规格：NOR Flash和NAND Flash，两者均为非易失性闪存模块。

　　1988年，Intel首次发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。NOR类似于DRAM， 以存储程序代码为主，可以让微处理器直接读取。因为读取速度较快，但晶片容量较低，所以多应用在通讯产品中，如手机。

　　1989年，东芝公司发表NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。因为NAND flash的晶片容量相对于NOR大，更像硬盘，写入与清除资料的速度远快于NOR，所以当时多应用在小型机以储存资料为主。目前已广泛应用在各种存储设备上， 可存储代码和资料。

　　NAND Flash的存储单元发展：从 SLC， MLC到TLC，超越摩尔定律

　　SLC=Single-Level Cell， 即1bit/cell，读写速度快，寿命长，价格是MLC三倍以上，约10万次读写寿命。

　　MLC=Multi-Level Cell， 即2bit/cell ，速度一般，寿命一般，价格一般，月3000-10000次读写寿命。

　　TLC=Triple-Level Cell，即3bit/cell，速度慢，寿命短，价格便宜，约500次读写寿命，技术在逐渐成长中。

　　摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻两倍以上。而NAND Flash行业的摩尔定律周期则只有12个月。

　　NAND Flash的存储单元从最初的SLC（ Single Layer Cell）， 到2003年开始兴起MLC （Multi-Layer Cell）， 发展至今，SLC已经淡出主流市场，主流存储单元正在从MLC向TLC（Triple Layer Cell）迈进。纳米制程工艺和存储单元的发展，使得同样大小的芯片有更高密度和更多的存储单元，Flash得以在容量迅速增加的同时，还大幅降低了单位存储容量的成本。

　　但其弊端也轻易显现，从原来的1bit/cell发展到后来3bit/cell， 计算更为复杂，出错率不免更高，读写次数和寿命也会更短。在这种情况下现有MLC 和 TLC Flash 都需要搭配一颗高性能的控制芯片来提供EDC和ECC、平均擦写等Flash管理。